TSMC 1.8V工艺双反相器版图教程详解

本资源是一份关于TSMC工艺的版图教程文档，主要涵盖了前端电路设计与仿真以及后端电路设计的过程。文档首先介绍了双反相器的前端设计流程，包括使用Visio绘制原理图，指定电源电压（VDD=1.8V）和选用TSMC的1.8V典型MOS管模型。在设计过程中，需要参考特定的工艺角，并根据MOS管的宽度(W)调整相应的尺寸参数，确保端口名称和顺序的一致性。 编写SP文件时，用户需要创建一个名为dualinv.sp的文件，其中包含TSMC模型库引用和MOS管的参数定义，如长度(L)、宽度(W)等。在Hspice程序中进行仿真，可以观察输入信号的输出波形和内部节点情况，同时，输出结果也会保存在.MTO文件中供后续分析。 进入后端电路设计部分，文档指导如何在Linux环境下操作，通过虚拟机启动并使用Cadence软件。首先启动虚拟机，然后通过Terminal命令行界面进行操作。在这个阶段，涉及了schematic电路图的绘制，以及版图设计的详细步骤。作者强调了画版图的一些技巧，可能包括布局规则、布线策略和优化等。版图设计完成后，还需要进行后端验证，包括检查设计是否符合规格，以及利用PEx工具提取电路信息，生成可进行制造的净空图。 此外，教程还可能包含了其他辅助知识，如电路设计的基本原则，TSMC工艺的特点和优势，以及在实际项目中的注意事项等。整个教程旨在帮助读者掌握TSMC工艺下的电路设计流程，从概念到实践，确保设计的准确性和有效性。通过学习这份教程，设计者能够提升在TSMC工艺下进行集成电路版图设计的能力。