ThunderFET® N沟道PSMN017-80BS-VB MOSFET技术规格

"PSMN017-80BS-VB是一种N沟道的功率MOSFET，采用TO-263封装，由VBsemi公司生产。这款MOSFET具有ThunderFET技术，可承受最高175°C的结温，并通过了100%的Rg和UIS测试。其材料分类符合特定的合规标准。" **ThunderFET技术** ThunderFET是 Vishay Intertechnology 的一项专利技术，用于制造高性能的MOSFET。这种技术优化了MOSFET的栅极氧化层和沟道结构，使得开关速度快、导通电阻低，从而提高电源转换效率并降低功耗。 **参数规格** - **Drain-Source电压 (VDS)**：最大80V，这是MOSFET能承受的源极到漏极之间的最大电压。 - **Gate-Source电压 (VGS)**：±20V，这是栅极到源极的最大允许电压。 - **连续漏电流 (ID)**：在25°C时为120A，在125°C时为65A，这是在恒定温度下MOSFET能持续通过的最大电流。 - **脉冲漏电流 (IDM)**：225A，这是在100μs脉冲下的最大电流。 - **雪崩电流 (IAS)**：50A，这是MOSFET在L=0.1mH电感下能承受的最大雪崩电流。 - **单次雪崩能量 (EAS)**：125mJ，这是MOSFET能承受的最大单次雪崩能量。 - **最大功率耗散 (PD)**：在25°C时为370W，在125°C时为120W，这是MOSFET能安全散发的最大功率。 - **操作和存储温度范围**：-55°C到+175°C。 **热特性** - **结到环境的热阻 (RthJA)**：40°C/W，表示每瓦功率导致的结温升高40°C。 - **结到壳的热阻 (RthJC)**：0.75°C/W，这是从器件结点到封装外壳的热阻。 **电气性能** - **RDS(on)**：在VGS=10V时，RDS(on)为6mΩ；在VGS=4.5V时，RDS(on)为10mΩ，这代表了MOSFET在导通状态下的低电阻，意味着较低的导通损耗。 **应用与配置** PSMN017-80BS-VB适合用于需要高效能、低损耗的电源管理电路，例如开关电源、电机驱动、负载开关和电池管理系统等。由于其TO-263封装，它易于安装在PCB上，且提供良好的散热性能。 总结来说，PSMN017-80BS-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，具备高耐压、大电流处理能力以及优秀的热管理特性，适用于高温、高功率应用环境。