英飞凌INFINEON IPP030N06NF2S MOSFET中文规格参数

"IPP030N06NF2S是英飞凌公司推出的一款强效绝缘栅场效应晶体管（StrongIRFETTM2 Power-Transistor），其主要特性包括： 1. 应用优化：这款MOSFET设计用于广泛的应用范围，适应性强，适合多种电路设计。 2. 电荷特性： - N-沟道、正常级：适用于N型半导体，门极驱动电压要求较低。 - 高耐压：最大漏源电压(VDS)高达60伏特（V）。 - 低导通电阻：在最高工作状态下，最大RDS(on)为3.05毫欧姆(mΩ)，有助于降低功率损耗。 - 电流能力：允许的最大集电极电流(ID)为119安培(A)，能满足大电流处理需求。 - 瞬态开关特性：Qoss值为68纳库仑(nC)，表明快速开关性能。 - 钳位电荷：QG(0V..10V)也达到68nC，确保了器件在宽电压范围内的稳定操作。 3. 环境友好：产品采用无铅焊锡和RoHS合规标准，且符合IEC61249-2-21的卤素免费要求，对环保和人体健康友好。 4. 认证与验证：通过了JEDEC标准的验证，确保产品的性能和质量一致性。 5. 封装与标识：本产品采用PG-TO220-3封装，具有清晰的标记以便于识别，型号代码为030N06NS。 6. 技术文档：规格书中提供了详细的描述、最大工作参数、热特性、电气特性图表、包装布局、修订历史、商标声明以及免责声明等信息，便于用户理解和使用。 此款强IRFETTM2 Power-Transistor在工业级应用中，如电机控制、电源转换、电力电子设备等，因其高效的能源转换能力和可靠的设计，成为不可或缺的组件。了解并遵循规格书中的指导，可以确保安全和有效的集成到电路设计中。"