英飞凌INFINEON IPP019N06NF2S MOSFET中文规格概览

IPP019N06NF2S是英飞凌公司推出的一款强效绝缘栅场效应晶体管（MOSFET），它专为广泛的应用场景优化设计。该器件属于N沟道、正常级，具有出色的性能参数。其主要特点包括： 1. **特性**： - **优化设计**：针对不同应用需求进行了精心设计，能够提供高效能和高可靠性。 - **耐冲击**：100%进行了 avalanche 测试，确保在高压情况下也能保持稳定性能。 - **环保合规**：采用无铅镀层，符合RoHS标准，并且是卤素免费，符合IEC 61249-2-21的环保要求。 2. **关键性能参数**： - **电压耐受**（VDS）：60V，表示它能在高达60伏特的栅极电压下工作。 - **最大漏源电阻（RDS(on)）**：1.9毫欧姆，这是在正常工作条件下的低阻值，有助于降低导通损耗。 - **电流能力（ID）**：185安培，表示在额定条件下可以处理高达185安培的持续集电极电流。 - **输出电荷（Qoss）**：108纳库伦，衡量关断时存储在门极的电荷量，影响开关速度。 - **门极电荷（QG）**：在0V到10V电压范围内为108纳库伦，这影响了器件的响应速度。 3. **产品验证**： - 符合JEDEC标准，表明该产品经过了行业认可的质量控制流程，确保了其长期稳定性和一致性。 4. **封装与标识**： - 包装形式为PG-TO220-3，这是一种常见的功率封装，适合散热良好的应用。 - 订单代码为019N06NS，便于用户识别和订购。 5. **文档结构**： - 规格书详细内容包括描述、最大工作参数、热性能、电气特性图表、封装图纸、版本历史、商标声明以及免责声明等部分，以帮助用户全面了解和使用该器件。 总结来说，IPP019N06NF2S是一款高性能的N沟道MOSFET，适用于各种电力电子应用，其出色的参数和严格的测试确保了产品的高质量。在选择和使用时，务必参考规格书中提供的详细信息，以确保最佳性能和系统稳定性。