英飞凌 IPP016N08NF2S MOSFET 芯片技术规格书

"IPP016N08NF2S INFINEON 英飞凌芯片 中文版规格书.pdf" 这份文档是英飞凌（INFINEON）公司 IPP016N08NF2S 芯片的中文规格说明书，详细介绍了该芯片的各项特性和参数。这款芯片是一款N沟道、正常电平的MOSFET，适用于各种应用。以下是该芯片的主要特点和关键性能参数： 1. **特点**： - 优化用于广泛的应用场景 - N通道设计 - 100%经过雪崩测试，确保了其在过载条件下的稳定性 - 符合无铅（Pb-free）和欧盟RoHS标准，环保无卤素 - 根据JEDEC标准进行产品验证 2. **关键性能参数**： - **VDS (最大漏-源电压)**：80V，这是芯片可以承受的最大电压差，决定了其在电路中的耐压能力。 - **RDS(on)，max (最大漏-源导通电阻)**：1.6mΩ，低导通电阻意味着在导通状态下的功率损耗小，效率高。 - **ID (最大持续电流)**：196A，芯片能安全处理的最大电流，决定了其在大电流应用中的适用性。 - **Qoss (栅极-漏极电荷)**：199nC，表示开关转换时存储的电荷量，影响开关速度和效率。 - **QG (栅极电荷)**：170nC，代表开启或关闭MOSFET所需的总电荷，影响开关速度。 3. **封装信息**： - 使用PG-TO220-3封装，是一种常见的功率半导体器件封装形式，具有良好的散热性能。 - 标识码为016N08NS。 4. **内容结构**： - 描述：简述芯片的基本信息 - 最大额定值：列出芯片在正常工作条件下可承受的最大电气和热参数 - 热特性：详细说明芯片在不同热环境下的表现 - 电气特性：列出芯片的静态和动态电气参数 - 电气特性图表：以图形方式展示芯片性能 - 封装轮廓：提供芯片物理封装的尺寸和形状信息 - 修订历史：记录规格书的更新版本 - 商标和免责声明：法律相关的声明和信息 5. **应用场景**： - IPP016N08NF2S 由于其低导通电阻和高电流承载能力，通常用于电源管理、电机控制、负载开关、以及需要高效能和稳定性的其他电子设备中。 IPP016N08NF2S 是一款高性能、环保且可靠的N沟道MOSFET，适用于需要处理高电流和快速开关操作的电源系统。用户在设计电路时应参考这些详细规格，以确保正确和安全地使用该芯片。