AF2301PWLA-VB:P沟道SOT23 MOSFET技术规格
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更新于2024-08-03
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"AF2301PWLA-VB是一种P沟道SOT23封装的MOS管,常用于同步整流和电源供应等应用。该器件采用TrenchFET技术,具有低阻抗和良好的热特性。"
AF2301PWLA-VB是一款N沟道MOSFET,其主要特点是采用了TrenchFET结构,这是一种先进的制造工艺,旨在提高MOSFET的开关性能和降低导通电阻。TrenchFET技术通过在硅片上形成深沟槽结构,增加了通道面积,从而降低了电阻,使得在低电压下也能实现高效能。
该器件的关键参数包括:
- **导通电阻(RDS(on))**:在VGS=10V时,RDS(on)典型值为0.0050Ω,而在VGS=4.5V时,RDS(on)为0.0065Ω。低的RDS(on)意味着在导通状态下,器件的功率损耗较低,提高了效率。
- **连续漏源电流(ID)**:在25°C时,连续漏源电流可达到85A,而当温度升高到70°C时,这一值下降到70A。这是基于最大结温(TJ=175°C)的限制。
- **栅极-源极电压(VGS)**:允许的最大VGS为±25V,确保了器件在规定电压范围内安全工作。
- **电荷(Qg)**:典型值为80nC,影响开关速度,较小的Qg意味着更快的开关时间。
- **脉冲漏源电流(IDM)**:最大脉冲漏源电流可达250A,允许短时高电流脉冲通过。
- **雪崩电流(IAS)**:在特定条件下,器件可以承受80A的单脉冲雪崩电流,确保了其在过载情况下的安全性。
- **最大功率耗散(PD)**:在25°C时,器件的最大功率耗散为312W,而70°C时降至200W。
AF2301PWLA-VB适用于同步整流,这种应用常见于高效率电源转换系统中,利用MOSFET代替二极管以降低损耗。此外,它还适合用在电源供应中,如DC-DC转换器等。其SOT23封装小巧紧凑,适合表面贴装在1"x1"FR4板上,适合空间有限的电路设计。
热性能方面,器件提供了最大结温和储存温度范围(-55°C to 150°C),以及热阻抗数据,这些参数对评估器件在实际应用中的散热能力至关重要。低的热阻抗有助于器件在大电流工作时保持良好的热稳定性。
AF2301PWLA-VB是一款高性能、低阻的N沟道MOSFET,特别适用于需要高效能和小体积的应用场景,如电源管理和功率转换系统。其特性包括TrenchFET技术、低RDS(on)、高耐压和良好的热管理能力,使其成为许多电子设计的理想选择。
2021-03-17 上传
2021-10-09 上传
2024-09-09 上传
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2024-09-09 上传
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