IRFU9024NPBF-VB MOSFET技术规格与应用
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更新于2024-08-03
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"IRFU9024NPBF是一款由IRF公司生产的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用TO251封装。这款MOSFET具有低电阻和高电流能力,适用于负载开关等应用。其主要特性包括TrenchFET技术、100% UIS测试,以及在不同温度和电压条件下的稳定性能。"
IRFU9024NPBF MOSFET的主要特点和参数如下:
1. **TrenchFET技术**:这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上蚀刻出深沟槽结构,提高了MOSFET的开关速度和效率,同时降低了导通电阻(RDS(ON))。
2. **RDS(ON)**:在10V的栅极-源极电压(VGS)下,RDS(ON)为66毫欧,而在4.5V的VGS下,RDS(ON)为80毫欧。较低的RDS(ON)意味着在导通状态下,器件的功率损耗较小,适合用作高效能的开关元件。
3. **额定电压和电流**:MOSFET的最大漏源电压(VDS)为-60V,最大连续漏极电流(ID)在25°C时为-20A,在70°C时为-16A,表明该器件能够在较高电压和较大电流下工作。
4. **栅极-源极电压**:VGS的最大值为±20V,阈值电压(Vth)为-1.43V。这决定了MOSFET的开启和关闭状态。
5. **电荷和栅极电容**:Qg(总栅极电荷)在典型条件下为40nC,影响开关速度和功耗。
6. **瞬态脉冲电流**:IDM的最大值为-100A,允许短时间内的大电流脉冲。
7. **雪崩能量和电流**:EAS为101mJ,IAS为-35A,表示器件在雪崩条件下能够承受的能量和电流,确保了其在过载情况下的稳定性。
8. **结温范围**:操作和存储温度范围为-55°C至150°C,确保了在广泛环境条件下的可靠运行。
9. **热特性**:RthJA(最大结-环境热阻)为40°C/W,RthJC(最大结-壳热阻)为1.2°C/W,这两个参数影响了MOSFET的散热性能。
10. **最大功率耗散**:在25°C和70°C下,最大功率耗散分别为35W和20W,这限制了MOSFET可处理的最大功率。
IRFU9024NPBF MOSFET适用于需要高效能开关操作的应用,如电源管理、负载开关、电机控制等。其低RDS(ON)和良好的热特性使其成为高电流、低损耗应用的理想选择。
2023-12-29 上传
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