IRFU9120NPBF-VB: 高性能P沟道TO251封装MOSFET

IRFU9120NPBF-VB是一款由VB Semi Co公司生产的P沟道TO251封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），它是一款高效率的开关元件，特别适合于功率管理和转换应用，如电源开关和DC/DC转换器。这款器件采用Trench FET®技术，具有以下关键特性： 1. **环保合规**：根据IEC 61249-2-21标准，该产品不含卤素，符合RoHS指令2002/95/EC，对环境友好。 2. **高耐压与测试**：它在100V的 Drain-Source (D-S)电压下工作，且100%进行了Rg（栅极电阻）和UIST（集电极漏电流）的测试，确保了可靠性和稳定性。 3. **性能指标**： - VDS（最大允许源极-漏极电压）为-100V。 - 在VGS（栅极-源极电压）为-10V时，RDS(on)典型值为0.215Ω。 - ID（持续导通电流，25°C时）在-12A，70°C时降至-8A，脉冲导通电流限制为-30A。 - IAS（雪崩电流）为-20A，单次雪崩能量（L=0.1mH）为16.2mJ。 - 最大功率损耗（25°C，TA=25°C条件下）为32.1W。 4. **温度范围**：工作结温范围为-55°C至150°C，存储温度范围相同，同时提供了良好的热阻等级，如Junction-to-Ambient（热阻J-A）为50°C/W，Junction-to-Case（热阻J-C，针对漏极）为3.9°C/W。 5. **应用**：由于其出色的性能，IRFU9120NPBF-VB适用于那些对功率密度、效率和散热要求较高的应用场合，如需要高效能开关的电子设备设计。 IRFU9120NPBF-VB是设计者在寻求高电压、高效率、低功耗和环保解决方案时的理想选择，其TO251封装使得它在大型散热方案中也表现优秀。在实际应用中，必须注意其工作条件下的负载和散热设计，以确保设备的长期稳定运行。