IRFU9120NPBF-VB: 高性能P沟道TO251封装MOSFET
106 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 541KB PDF 举报
IRFU9120NPBF-VB是一款由VB Semi Co公司生产的P沟道TO251封装MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),它是一款高效率的开关元件,特别适合于功率管理和转换应用,如电源开关和DC/DC转换器。这款器件采用Trench FET®技术,具有以下关键特性:
1. **环保合规**:根据IEC 61249-2-21标准,该产品不含卤素,符合RoHS指令2002/95/EC,对环境友好。
2. **高耐压与测试**:它在100V的 Drain-Source (D-S)电压下工作,且100%进行了Rg(栅极电阻)和UIST(集电极漏电流)的测试,确保了可靠性和稳定性。
3. **性能指标**:
- VDS(最大允许源极-漏极电压)为-100V。
- 在VGS(栅极-源极电压)为-10V时,RDS(on)典型值为0.215Ω。
- ID(持续导通电流,25°C时)在-12A,70°C时降至-8A,脉冲导通电流限制为-30A。
- IAS(雪崩电流)为-20A,单次雪崩能量(L=0.1mH)为16.2mJ。
- 最大功率损耗(25°C,TA=25°C条件下)为32.1W。
4. **温度范围**:工作结温范围为-55°C至150°C,存储温度范围相同,同时提供了良好的热阻等级,如Junction-to-Ambient(热阻J-A)为50°C/W,Junction-to-Case(热阻J-C,针对漏极)为3.9°C/W。
5. **应用**:由于其出色的性能,IRFU9120NPBF-VB适用于那些对功率密度、效率和散热要求较高的应用场合,如需要高效能开关的电子设备设计。
IRFU9120NPBF-VB是设计者在寻求高电压、高效率、低功耗和环保解决方案时的理想选择,其TO251封装使得它在大型散热方案中也表现优秀。在实际应用中,必须注意其工作条件下的负载和散热设计,以确保设备的长期稳定运行。
2023-12-22 上传
2023-12-18 上传
2023-12-15 上传
2023-12-28 上传
2023-11-21 上传
点击了解资源详情
点击了解资源详情
点击了解资源详情
点击了解资源详情
VBsemi_MOS
- 粉丝: 8082
- 资源: 2588
最新资源
- C++ Qt影院票务系统源码发布,代码稳定,高分毕业设计首选
- 纯CSS3实现逼真火焰手提灯动画效果
- Java编程基础课后练习答案解析
- typescript-atomizer: Atom 插件实现 TypeScript 语言与工具支持
- 51单片机项目源码分享:课程设计与毕设实践
- Qt画图程序实战:多文档与单文档示例解析
- 全屏H5圆圈缩放矩阵动画背景特效实现
- C#实现的手机触摸板服务端应用
- 数据结构与算法学习资源压缩包介绍
- stream-notifier: 简化Node.js流错误与成功通知方案
- 网页表格选择导出Excel的jQuery实例教程
- Prj19购物车系统项目压缩包解析
- 数据结构与算法学习实践指南
- Qt5实现A*寻路算法:结合C++和GUI
- terser-brunch:现代JavaScript文件压缩工具
- 掌握Power BI导出明细数据的操作指南