IRFU5410PBF-VB:P沟道100V TrenchFET MOSFET技术规格
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更新于2024-08-03
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"IRFU5410PBF-VB是一款P沟道的TO251封装MOS场效应晶体管,适用于电源开关和DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有100V的漏源电压(VDS),在栅极电压为-10V时,其开启电阻(RDS(on))为11.7Ω,且在VGS=-4.5V时,RDS(on)降低至0.120Ω。产品符合RoHS指令,并进行了100%的Rg和UIS测试。"
IRFU5410PBF-VB是Infineon(或VBsemi)公司生产的一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。它的主要特性包括:
1. **无卤素设计**:根据IEC61249-2-21标准定义,该器件不含卤素,符合环保要求。
2. **TrenchFET技术**:采用TrenchFET结构,这是一种先进的制造工艺,通过在硅片上蚀刻出深沟槽来减小导通电阻,提高开关性能,降低功耗。
3. **全面测试**:100%的Rg(栅极电阻)和UIS(雪崩击穿耐受能力)测试确保了器件的可靠性和安全性。
4. **应用领域**:适合用作电源开关,如在电源管理电路中进行高效率的开关操作,以及在DC/DC转换器中实现电压转换。
5. **参数规格**:
- **漏源电压** (VDS):最大值为-100V,表示MOSFET可以承受的最大电压差。
- **栅源电压** (VGS):-20V,决定了MOSFET的开通和关断。
- **连续漏极电流** (ID):在25°C时为-16A,在70°C时为-14A,限制了MOSFET在连续工作状态下的最大电流。
- **脉冲漏极电流** (IDM):短时间内的最大脉冲电流可达-50A,用于瞬时大电流的应用。
- **栅极电荷** (Qg):表示开启或关闭MOSFET所需的电荷量,影响开关速度。
6. **安全操作区** (SOA):提供了电压降额曲线,确保MOSFET在不同工作条件下不会损坏。
7. **绝对最大额定值**:例如,最大结温(TJ)为150°C,最大功率损耗(PD)在25°C时为32.1W,但结到外壳热阻(RthJC)为3.9°C/W,表明器件的散热性能。
8. **热特性**:结到环境的热阻(RthJA)为50°C/W,意味着每增加1W的功率,器件温度将上升50°C,对散热设计有重要指导意义。
IRFU5410PBF-VB因其高效的开关性能、出色的耐压能力和环保特性,成为电源管理和功率转换领域中的理想选择。然而,在实际应用中,必须确保不超过其绝对最大额定值,同时考虑到热管理,以保证器件的长期稳定运行。
2023-12-15 上传
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