IRFU5410PBF-VB：P沟道100V TrenchFET MOSFET技术规格

"IRFU5410PBF-VB是一款P沟道的TO251封装MOS场效应晶体管，适用于电源开关和DC/DC转换器等应用。这款MOSFET具有100V的漏源电压（VDS），在栅极电压为-10V时，其开启电阻（RDS(on)）为11.7Ω，且在VGS=-4.5V时，RDS(on)降低至0.120Ω。产品符合RoHS指令，并进行了100%的Rg和UIS测试。" IRFU5410PBF-VB是Infineon（或VBsemi）公司生产的一款高性能P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。它的主要特性包括： 1. **无卤素设计**：根据IEC61249-2-21标准定义，该器件不含卤素，符合环保要求。 2. **TrenchFET技术**：采用TrenchFET结构，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上蚀刻出深沟槽来减小导通电阻，提高开关性能，降低功耗。 3. **全面测试**：100%的Rg（栅极电阻）和UIS（雪崩击穿耐受能力）测试确保了器件的可靠性和安全性。 4. **应用领域**：适合用作电源开关，如在电源管理电路中进行高效率的开关操作，以及在DC/DC转换器中实现电压转换。 5. **参数规格**： - **漏源电压** (VDS)：最大值为-100V，表示MOSFET可以承受的最大电压差。 - **栅源电压** (VGS)：-20V，决定了MOSFET的开通和关断。 - **连续漏极电流** (ID)：在25°C时为-16A，在70°C时为-14A，限制了MOSFET在连续工作状态下的最大电流。 - **脉冲漏极电流** (IDM)：短时间内的最大脉冲电流可达-50A，用于瞬时大电流的应用。 - **栅极电荷** (Qg)：表示开启或关闭MOSFET所需的电荷量，影响开关速度。 6. **安全操作区** (SOA)：提供了电压降额曲线，确保MOSFET在不同工作条件下不会损坏。 7. **绝对最大额定值**：例如，最大结温（TJ）为150°C，最大功率损耗（PD）在25°C时为32.1W，但结到外壳热阻（RthJC）为3.9°C/W，表明器件的散热性能。 8. **热特性**：结到环境的热阻（RthJA）为50°C/W，意味着每增加1W的功率，器件温度将上升50°C，对散热设计有重要指导意义。 IRFU5410PBF-VB因其高效的开关性能、出色的耐压能力和环保特性，成为电源管理和功率转换领域中的理想选择。然而，在实际应用中，必须确保不超过其绝对最大额定值，同时考虑到热管理，以保证器件的长期稳定运行。