DDR2 SDRAM操作详解：时序与初始化

"DDR2 SDRAM操作时序规范中文版，详细讲述了DDR2 SDRAM的上电初始化、模式寄存器设置以及读写操作流程。文档共有47页，涵盖了基本功能、状态转换图以及各种操作命令。" DDR2 SDRAM（Double Data Rate Second Synchronous Dynamic Random-Access Memory），是一种高速的动态随机存取存储器，它通过在每个时钟周期的上升沿和下降沿传输数据，从而实现双倍于传统SDRAM的数据速率。本规范主要关注其操作时序，这对于正确设计和使用DDR2 SDRAM至关重要。 ### 上电和初始化 DDR2 SDRAM的启动过程需要严格按照规定的时序进行，以确保稳定和可靠的工作。在上电时，CKE（Clock Enable）信号应保持在低电平0.2*VDDQ的时间，之后才能开始初始化步骤。未遵循这个顺序可能导致设备工作不稳定或无法正常工作。 ### 初始化 初始化过程中，主要包括对DDR2 SDRAM的模式寄存器进行设置。模式寄存器（Mode Register Set，MRS）用于配置DDR2 SDRAM的各种工作参数，如CAS延迟、突发长度、行地址重置等。扩展模式寄存器（Extended Mode Register Set，EMRS）则用于更高级别的配置，如ODT（On-Die Termination）电阻的设置。 ### 模式寄存器设置 MRS命令用来写入这些参数，而(E)MRS命令则用于读取和修改这些寄存器的值。这些设置对设备性能和兼容性有着直接影响，必须根据系统需求进行精确调整。 ### 状态转换 DDR2 SDRAM有多种工作状态，包括初始化、空闲、预充电、激活、写入、读取、自我刷新和断电。状态转换图描绘了这些状态之间的切换，例如，从空闲状态到激活状态需要发送ACT（Activate）命令，激活指定的簇和行；写入和读取操作通过WR(A)和RD(A)命令执行，这些命令会触发自动预充电（Auto Precharge）。 ### 突发模式 DDR2 SDRAM采用突发模式进行访问，这意味着数据会按照预设的突发长度（通常是4或8个数据位）连续读写。激活命令（ACT）确定了起始地址，随后的读写命令携带列地址，控制数据传输的开始和自动预充电。 ### 自我刷新和断电 当系统需要节省电源或处于非活动状态时，可以使用SRF（Self-Refresh）命令使DDR2 SDRAM进入自我刷新状态，维持内部数据的完整性。要结束自我刷新并恢复正常操作，需再次设置CKE为高电平（CKEH）。若要完全断电，CKE应保持低电平，设备将进入断电状态。 ### 命令和控制 除了上述的MRS和ACT命令，还有其他关键命令，如PR(A)用于预充电所有簇，REF（Refresh）用于执行定期刷新，以防止数据丢失。这些命令的精确使用和时机安排是保证DDR2 SDRAM正常运行的关键。 DDR2 SDRAM的操作时序规范是理解和设计使用这种内存的基础，它涵盖了从初始配置到日常读写操作的所有细节。正确理解和遵循这些规范，能确保系统的稳定性和效率。