SI4848DY-T1-E3-VB：高性能N沟道SOP8 MOSFET技术规格

"SI4848DY-T1-E3-VB是一款N沟道MOSFET，采用SOP8封装，适用于电源开关等应用。该器件具备低栅极电荷（Qgd）以减少切换损耗，且经过100%的栅极电阻测试和雪崩测试，符合RoHS指令要求。" SI4848DY-T1-E3-VB是一款高性能的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其关键特性在于其极低的栅极电荷（Qgd），这有助于在高速切换应用中降低能量损失，提高效率。器件的工作电压为150V，其漏源电压（VDS）的最大值为150V，能够承受较高的电压波动。在特定条件下，如当栅源电压（VGS）为10V时，其漏源导通电阻（RDS(on)）仅为0.080Ω，而当VGS为8V时，RDS(on)为0.085Ω，这确保了在低电压下仍能保持良好的导通状态。 这款MOSFET设计用于初级侧开关应用，适合于电源管理、开关电源和其他需要高效能开关元件的电路。其封装形式为SOP8，便于表面安装在1" x 1"的FR4板上。连续漏极电流（ID）在不同温度下有所不同，例如在25°C下可达到5.4A，而在70°C下则降至4.5A。 在绝对最大额定值方面，器件能够承受的最大脉冲漏极电流（IDM）为22A，连续源漏二极管电流（IS）在25°C时为4.5A。此外，它能承受单脉冲雪崩电流（IAS）高达20A，并且能够承受单脉冲雪崩能量（EAS）20毫焦。最大功率耗散（PD）在25°C时为5.9W，但随着温度升高会有所下降。 为了确保可靠性和安全性，SI4848DY-T1-E3-VB经过了严格的测试，包括100%的栅极电阻测试和100%的雪崩测试，同时，该产品符合无卤素（Halogen-free）标准，遵循IEC61249-2-21定义，并符合RoHS指令2002/95/EC的要求，确保了环保和电气性能的双重保障。 总结来说，SI4848DY-T1-E3-VB是一款高性能、低损耗、环保的N沟道MOSFET，适用于需要高效、稳定和小型化封装的电源系统。其独特的特性和严格的质量控制使其成为电源设计中的理想选择。