SI4848DY-T1-E3&100-VB: 一款高效率N沟道SOP8封装MOSFET特性与应用概述

SI4848DY-T1-E3&100-VB是一款高性能的N沟道SOP8封装MOSFET，由一家知名的电子元件制造商设计。这款MOS管在设计上注重环保，符合IEC61249-2-21标准，不含卤素，确保了在电子设备中的可持续性和安全性。其主要特性包括： 1. 极低的Qgd值：该MOSFET在开关损耗方面表现出色，这对于提高电力转换效率至关重要。较低的Qgd意味着在相同电压和电流条件下，能耗更少。 2. 高度可靠测试：产品经过严格的100% Rg（栅极电阻）和Avalanche（雪崩）测试，确保在高电压和过载条件下的稳定性和可靠性。 3. 符合RoHS指令：2002/95/EC指令规定了电子产品的有害物质限制，SI4848DY-T1-E3&100-VB通过了这一标准，表明其在环保方面达到国际要求。 4. 应用广泛：这款MOSFET适用于初级侧开关应用，对于需要高效、低损耗和高可靠性电源管理的系统非常适用。 产品的主要规格如下： - RDS(on)（漏源阻抗）：在VGS = 10V时，典型值为0.080 Ω，而在VGS = 8V时，下降至0.085 Ω。 - ID（持续导通电流）：在25°C下，最大值为5.4 A，而在70°C时有所降低。 - Qg（漏极电荷）：典型值在VGS = 10V时为23 nC，在VGS = 8V时为4.5 nC。 - IS（持续源漏电流）：在25°C时，约为4.5 A。 - AS（单脉冲雪崩电流）：在0.1 mH电感下，单次脉冲能量可达20 mJ。 - PD（最大功率耗散）：在25°C下，最大功率为5.9 W，随着温度升高而降低。 在封装方面，SI4848DY-T1-E3&100-VB采用SOP8封装，便于集成到电路板上。表面安装在1英寸x1英寸的FR4基板上，具有紧凑的尺寸和良好的散热性能。需要注意的是，所有的参数值都是基于25°C的工作环境和10秒的测试周期给出的，实际应用中需考虑散热条件和极端工作温度的影响，如TJ（结温）和存储温度限制。 SI4848DY-T1-E3&100-VB是一款高性能、可靠且环保的N沟道MOSFET，适合对功率效率和稳定性有较高要求的电子设计，特别是那些需要满足严格法规要求的应用场景。在选择和使用时，务必关注其极限条件和工作温度范围，以确保最佳性能和系统安全。