IRF644SPBF-VB:高速切换N沟道PowerMOSFET
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更新于2024-08-03
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"IRF644SPBF-VB是一款由Infineon或类似的半导体制造商生产的N沟道MOSFET,常用于电源管理、开关电源、电机驱动等高功率应用中。这款器件采用TO263封装,具有高速切换、易于并联和简单驱动要求的特点。"
IRF644SPBF-VB场效应管的关键特性在于其动态dV/dt(电压变化率)评级,这意味着它在快速开关操作中表现出色,能够承受较高的电压变化速率,这对于高频率的应用至关重要。此外,该MOSFET是重复雪崩额定的,允许在特定条件下进行脉冲雪崩操作,增强了其在恶劣工作环境下的耐受性。
在技术参数方面,IRF644SPBF-VB的最大漏源电压(VDS)为250V,当栅极源电压(VGS)为10V时,其导通电阻(RDS(on))仅为0.23欧姆,这表明其在低阻状态下的高效能。该器件的总栅极电荷(Qgmax)为68nC,栅极源电荷(Qgs)为11nC,栅极漏电荷(Qgd)为35nC,这些参数影响开关速度和开关损耗。
绝对最大额定值是确保设备安全运行的重要指标。例如,连续漏源电流(ID)在25°C时为16A,100°C时降低至9.5A,峰值脉冲漏源电流(IDM)为56A。此外,单脉冲雪崩能量(EAS)为550mJ,重复雪崩电流(IAR)为14A,重复雪崩能量(EAR)为13mJ。最大功率耗散(PD)在25°C时为125W,表明了它在散热条件下的工作能力。
在电气特性中,峰值二极管恢复dV/dt(4.8V/ns)描述了在开关过程中电流转换的速度,而工作结温及储存温度范围从-55°C到+150°C,保证了器件在宽温范围内工作的稳定性。
IRF644SPBF-VB是一款高性能的N沟道MOSFET,适合需要高速切换、大电流处理能力和良好热管理的电子设计。它的TO263封装使其易于安装和散热,并且其简单的驱动要求使得电路设计更为简便。在实际应用中,用户需要注意控制工作温度和电流,以防止过热和损坏,确保设备长期稳定运行。
2024-01-02 上传
2024-01-06 上传
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