IRF2807STRPBF-VB是一款由VB半导体公司生产的N沟道场效应晶体管，采用业界知名的ThunderFET技术。这款MOSFET在设计上具有较高的性能和可靠性，适用于高功率应用场合。
该晶体管的最大特点是其耐高温能力，能承受高达175°C的结温，确保在严苛的工作环境下稳定运行。它采用了TO263封装，这是一种标准的双列直插式（DIP）封装，适合于空间受限的设计。TO263封装包括四个引脚：G（栅极）、D（ drain）、S（源）和可能的额外功能引脚。
IRF2807STRPBF-VB的主要电气特性如下：
1. **电压参数**：
- 驱动源电压（VDS）最大值为80V，这意味着它可以处理高达80伏特的电压差。
- 栅极源电压（VGS）工作范围为±20V，支持宽广的控制电压操作。
- 在持续模式下，当结温为25°C时，最大连续漏极电流（ID）为120A，随着温度升高，如在125°C时降为65A。
- 对于短时间脉冲操作，允许的峰值漏极电流（IDM）高达225A，对于100微秒的时间窗口。
- 单次雪崩电流（IAS）为50A，表示在特定条件下单个电荷的传输能力。
- 单个雪崩能量（EAS）为125mJ，衡量了器件在承受过电压时的安全性能。
2. **功率处理**：
- 最大功率损耗（PD）在25°C环境下的热设计功率为370W，而在125°C时降低到120W，体现了良好的散热设计。
- 提供了功率耗散能力和散热性能数据，如结温到环境（Junction-to-Ambient）的热阻RthJA为40°C/W，以及结温到外壳（Junction-to-Case）热阻RthJC为0.75mΩ。
3. **安全限制**：
- 持续工作周期（duty cycle）要求不超过1%，以避免过热。
- 必须参考安全工作区（SOA）曲线来确定电压降额，以确保长期可靠运行。
- 建议在1平方英寸（1" square PCB）FR4材料的基板上安装，以获得最佳性能。
4. **产品概述**：
- 80V的漏极-源极电压范围，确保了广泛的电压适应性。
- 不同栅极源电压下的漏极电阻（RDS(on））也有所区别，例如VGS=10V时为6mΩ，VGS=4.5V时为10mΩ。
IRF2807STRPBF-VB是一款专为高性能电子应用设计的N沟道MOSFET，提供了卓越的耐温性、电流处理能力和低导通电阻，适合在需要高效开关和大电流通过的电路中使用。在选择和应用此类场效应管时，务必考虑其工作条件、散热要求以及安全操作限制。
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