电子束诱导178m2 Hf异构体衰变加速实验研究

"利用致辐射辐射诱导了178m2 Hf的31年异构体的衰变加速" 这篇研究论文发表在《Physics Letters B》上，探讨了通过bremsstrahlung辐射（刹车辐射）诱导178m2 Hf核异构体的衰变加速现象。178m2 Hf是一种具有长达31年的半衰期的核异构体，通常在核物理和核技术领域中具有重要意义。研究团队使用哈尔科夫国立大学开发的新型实验装置，并将其安装在基辅核研究所进行实验。 实验中，他们使用30 keV的电子束照射厚度为300μm的含有178m2 Hf异构体活性（100 Bq）的钽(Ta)箔片。通过观察，研究人员注意到从178m2 Hf异构体开始衰变时，其所有最强的基态能带（能量分别为213、325和426 keV）以及8-能带（能量分别为216、495和574 keV）的计数率均有所增加。这表明电子束的照射确实影响了178m2 Hf异构体的衰变速率。 数据分析表明，总的触发效应约为1.55±0.12%，这意味着通过bremsstrahlung辐射，178m2 Hf异构体的衰变速度被提升了约1.55%。光子诱发触发横截面的估计值与先前发表的相关文献中得到的上限相近，这意味着虽然衰变加速效果存在，但其程度可能受到限制。 这项工作对于理解核异构体的电磁性质和潜在应用具有重要意义，例如在核能存储、核废料处理和医学成像等领域。通过研究这些诱导衰变机制，未来可能发展出新的方法来控制或调节核材料的稳定性，这对于核能安全和环境保护具有潜在价值。 关键词包括：核异构体、178m2 Hf、诱导触发、电磁跃迁和刹车辐射。这项研究的接收日期为2015年4月28日，经过修订后于同年7月27日再次提交，并于8月23日被接受，最终在8月28日在线发布。编辑为V.Metag。