英飞凌IPD082N10N3高耐压功率晶体管详细规格

IPD082N10N3 G INFINEON 英飞凌芯片是一款高性能的N沟道优化MOSFET（OptiMOS™3 Power-Transistor），专为高频开关和同步整流应用设计。该芯片具有以下主要特性： 1. **类型和型号**：产品系列包括IPP086N10N3G、IPI086N10N3G、IPB083N10N3G和IPD082N10N3G，分别针对不同的应用场景和封装需求。 2. **技术特性**： - **耐受温度**：工作温度高达175°C，适合高温环境。 - **低导通电阻**（RDS(on)）：非常出色的栅极充电因子（FOM），意味着在给定条件下的电导损耗低。 - **电流能力**：连续 drain current (ID) 在25°C时可达80A，脉冲电流（ID,pulse）在同样条件下可达到320A。 - **安全等级**：满足J-STD20和JESD22标准，以及RoHS合规，环保无卤素。 - **能量处理能力**：单脉冲雪崩能量EAS在特定条件下为110mJ。 - **电压控制**：支持宽范围的栅源电压（VGS），典型值±20V。 3. **封装和标记**：四种型号分别采用PG-TO220-3、PG-TO262-3、PG-TO263-3和PG-TO252-3不同尺寸的封装，便于适应不同的电路板布局。型号标记如086N10N表明产品的具体参数。 4. **功率参数**： - **最大功率**：在25°C下，允许的总功率消耗为125W。 - **最大漏源电压**（VDS）：100V，最大状态下的RDS(on)为8.2mW。 5. **操作与储存温度范围**：-55°C至175°C，符合IEC气候类别DIN IE68-1的标准。 6. **认证和合规性**：芯片按照JEDEC标准进行了针对目标应用的严格测试，确保了产品质量和可靠性。 这款英飞凌IPD082N10N3G芯片是工程师在设计高效率、紧凑型电源转换器、电机驱动等应用中理想的选择，因为它提供了优异的性能、高效能和符合行业标准的特性。在实际使用时，必须注意其限制条件，如脉冲电流条件下的峰值电流和最大功耗，以确保系统安全可靠运行。