51单片机控制Nand_Flash读写的两种方法详解

51单片机控制Nand_Flash读写的两种方法 本文将详细介绍51单片机控制Nand_Flash读写的两种方法：总线方式和I/O模拟方式。这些方法都是通过逻辑分析仪验证的，确保符合Nand_Flash的读写时序要求。 **总线方式** 在总线方式中，Nand_Flash的总线操作可以分为三类：写命令、写地址和数据操作。根据这三类操作的时序要求，我们可以选择引脚在这三类中变化的进行编址。nE引脚总是要求低电平，不符合要求；AL和CL在这三类操作中有时是低电平有时是高电平，符合要求。 在单片机读写外部数据存储器时，ALE信号要求为低电平，这与Nand_Flash总线操作片选信号nE要求相同，因此可以将ALE与nE相连。为了能够利用Nand_Flash的保护功能，将nW_P引脚与单片机的一个I/O口相连。 在连接Nand_Flash与单片机时，我们需要注意单片机的地址线和数据线的连接。因为单片机仅仅MOVX指令才能访问外部数据存储器，又因为单片机P0口已经作为数据口与单片机相连，因此只能使用拥有高8位地址的P2口。P2口仅仅在16位地址操作中才有用，因此编址采用16位形式，用不到的补零。 **I/O模拟方式** 在I/O模拟方式中，Nand_Flash操作的时序要求可以通过单片机的I/O口与Nand_Flash直接相连，通过I/O口模拟的方式来控制Nand_Flash。这种方式可以简化Nand_Flash的控制，提高读写效率。 在这种方式中，我们可以使用单片机的I/O口来模拟Nand_Flash的操作，例如读取数据、写入数据等。这种方式可以简化Nand_Flash的控制，提高读写效率。 **对比分析** 通过逻辑分析仪验证，两种方法均是符合Nand_Flash的读写时序要求的。通过逻辑分析仪观察和汇编分析，我们可以对比这两种方法的读效率。 总线方式和I/O模拟方式都是控制Nand_Flash读写的有效方法，每种方法都有其优缺，选择哪种方法取决于具体的应用场景和要求。