Micron DDR3 SDRAM规格概述:高速、低功耗内存芯片

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Micron DDR3 数据手册提供了关于 Micron DDR3 SDRAM 的详细规格和技术特性,适用于 MT41J系列的不同内存模块,如MT41J1G4(1GB x 4, 128MB x 4 banks)、MT41J512M8(512MB x 8, 64MB x 8 banks)和MT41J256M16(256MB x 16, 32MB x 16 banks)。以下是一些关键知识点: 1. **工作电压**:DDR3 SDRAM 工作在1.5V ± 0.075V的供电电压下,具有1.5V中心终止的推挽式 I/O,确保了电源效率和信号稳定性。 2. **数据传输**:采用差分双向数据 strobe 信号,支持8位预取架构,提高了数据传输速度和效率。同时,它采用了差分时钟输入(CK 和 CK#),确保了精确的时间同步。 3. **内存结构**:每个模块内部包含8个独立银行,支持动态和静态确定(ODT)的内存操作,以及可编程的 CAS (Column Address Strobe) 读写延迟(CL、AL、CWL)以适应不同工作频率(tCK)的需求。 4. **内存模式**:固定突发长度(BL)为8,允许通过模数寄存器集(MRS)实现突发切片(BC)为4或8的选择,提供了灵活性。还支持自刷新模式,以延长电池寿命。 5. **温度兼容性**:工作范围广泛,从0°C到95°C,刷新周期根据温度调整,例如在0°C到85°C时,有64ms的刷新周期,而在85°C到95°C之间,为32ms。 6. **自我刷新温度(SRT)**:在特定条件下,内存可以进入低功耗的自我刷新模式以降低能耗,同时保持数据完整性。 7. **功能特性**:包括写电平调整、多功能寄存器和输出驱动器校准,以优化性能和兼容性。 8. **封装形式**:该系列内存采用FBGA(Fine-pitch Ball Grid Array)封装,包括不同尺寸和球数的版本,如78-ball(10.5mmx12mm或9mmx10.5mm)和96-ball(10mmx14mm或9mmx14mm),满足不同的板级设计需求。 9. **选项与标记**:根据容量和引脚配置,产品提供不同的标记,如1G4表示1GB x 4配置,512M8表示512MB x 8配置,等等。 Micron DDR3 数据手册详细介绍了这款内存的电气特性和使用方法,对于电子工程师和系统设计师在设计需要高性能和低功耗内存系统的应用时,提供了宝贵的参考。