"IPW60R190P6 英飞凌芯片中文规格书手册及数据表"

DeviceInformationDataSheetRev.2.2FinalPowerManagementDevicePowerTransistors1FeaturesNewrevolutionarytechnologyExtremeefficiencyLowgatechargeExtremedv/dtratedUltraloweffectiveresistanceVeryhighcommutationcapability Highlevelofintegration1ApplicationsHardswitchingapplicationsupto 12 kHzSwitchedmodepowersuppliesUPS1TypeVDSV250RDS(on),max WID105°C0.19PackagePG-TO-247-3PinConfiguration1)Gate2)Drain3)SourceBranchOff模式时giene(IPx60R190P6)技术规则性技术规洁 IPx60R190P6是英飞凌公司推出的一款MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor FieldEffectTransistorCoolMOS™ P6600V CoolMOS™ P6 Power￡ransistor的一¸。本手册为英飞凌芯片INFINEON中文版规格书手册.IPx60R190P6芯片具有多种优秀特性。首先,它采用了新型革命性技术,在效率上具有极高的优势。其次,具有低栅极电荷和极高的极限改变率。再次,有效电阻低且具有极高的复位能力。此外,它还具有很高的集成水平,能够满足各种需求.IPx60R190P6芯片适用于多种硬开关应用,包括高达12千赫兹的应用以及开关模式电源和不间断电源。它的型号为VDSV250RDS(on),max W ID105°C0.19,包装形式为PG-TO-247-3引脚形式。其中1)为栅极,2)为漏极,3)为源极。 IPx60R190P6芯片具有多种优秀特性。首先，它采用了新型革命性技术，使其在效率方面具有极高的优势。这使得设备在工作过程中能够更加节能，同时也减少了功耗。其次，这款芯片具有低栅极电荷，这意味着它需要更少的电流来控制器件的开关。这不仅减少了功耗，还提高了设备的工作效率。其次，IPx60R190P6还具有极高的极限改变率，这使得设备能够在瞬间完成电流的变化，提高了设备的反应速度。 此外，德国英飞凌公司还在IPx60R190P6芯片中加入了特殊的技术，使其具有极低的电压降。有效电阻低，能够减少设备的能量损失，并提高设备的效率。此外，该芯片还具有极高的复位能力，能够在设备发生故障或中断时快速恢复正常工作状态。这使得设备更加稳定可靠。 在集成水平方面，IPx60R190P6芯片具有很高的集成度。它可以满足各种复杂的功能需求，可以与其他设备灵活配合。这为用户提供了更多的选择和便利。 IPx60R190P6芯片适用于多种硬开关应用，包括高达12千赫兹的应用，以及开关模式电源和不间断电源。其型号为VDSV250RDS(on),max W ID105°C0.19，包装形式为PG-TO-247-3引脚形式。它的引脚配置包括栅极、漏极和源极。这种引脚配置结构简单明了，方便用户进行安装和连接。 总的来说，IPx60R190P6芯片是一款高性能、高效能的MOSFETMetal-Oxide-Semiconductor FieldEffectTransistor CoolMOS™ P6600V CoolMOS™ P6 Power Transistor芯片。它具有新型革命性技术、低电荷、高改变率、低电压降以及高复位能力等多种优秀特性，能够满足各种复杂的功能需求。它广泛应用于硬开关应用、开关模式电源和不间断电源等领域。这款芯片的高性能和高效能使得设备工作更加稳定可靠，并且具有极高的能效。IPx60R190P6芯片的出现将进一步推动电子科技的发展。