IPD048N06L3G-VB：高性能N沟道TO252封装MOSFET

"IPD048N06L3G-VB是一款N沟道MOSFET，采用TO252封装，具有低热阻特性，适用于电源管理、开关应用等场景。" IPD048N06L3G-VB是一款由VBsemi公司生产的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），其主要特点包括TrenchFET技术的功率MOSFET设计，这种设计能够提供更低的导通电阻和更高的效率。此外，该器件的封装设计注重低热阻，有助于在高功率运行时保持良好的散热性能。 在功能特性方面，IPD048N06L3G-VB具有以下关键参数： - 额定的漏源电压（VDS）为60V，这意味着它可以在60V的工作电压下安全操作。 - 在栅极电压VGS为10V时，其漏源导通电阻（RDS(on)）仅为0.0050欧姆，而在VGS为4.5V时，RDS(on)为0.0120欧姆。低的RDS(on)值意味着在导通状态下，流过MOSFET的电流产生的压降较小，从而提高效率。 - 连续漏极电流（ID）在25°C时为97A，而在125°C时为56A，表明该MOSFET在高温环境下仍能保持较高的电流承载能力。 - 其他还包括门极-源极电压（VGS）的最大值为±20V，连续源极电流（IS）为100A，脉冲漏极电流（IDM）为290A，以及单脉冲雪崩电流（IAS）为45A，这些参数确保了MOSFET在不同工作条件下的稳定性和耐受性。 在安全运行方面，IPD048N06L3G-VB的最大功率耗散（PD）在25°C时为136W，在125°C时为45W，确保了在不同温度下的散热性能。同时，结温（TJ）和储存温度范围（Tstg）为-55至+175°C，保证了器件在宽温范围内的可靠性。 热性能是MOSFET的重要考量因素，IPD048N06L3G-VB的结壳热阻（RthJC）为1.1°C/W，而结到环境的热阻（RthJA）为50°C/W。这些数值表示当MOSFET发热时，每瓦特功率所产生的温升，对于优化热设计和确保设备长期稳定运行至关重要。 IPD048N06L3G-VB是一款适用于各种高功率、低损耗应用的N沟道MOSFET，如开关电源、电机驱动、电池管理系统以及需要高效能和良好散热的其他电子设备。其独特的TrenchFET技术和优秀的热特性使其成为工程师在设计中考虑的优选元器件。