VBsemi的IPD220N06L3G-VB：高性能N沟道TO252封装MOSFET

"IPD220N06L3G-VB是一款N沟道TO252封装的MOSFET，由VBsemi公司生产。该器件采用TrenchFET技术，具有高温结温（175°C）的能力。其主要参数包括：在VGS=10V时的漏源导通电阻rDS(on)为0.025Ω，而在VGS=4.5V时为0.030Ω，额定连续漏电流ID为60A。此外，它还具备一定的耐冲击能力，如脉冲漏电流IDM可达100A，连续源电流IS为23A，雪崩电流IAS为20A。最大功率耗散PD在25°C时为100W，而结壳热阻RthJC为3.2至4°C/W，结温至环境的热阻RthJA在10秒内典型值为18°C/W，稳态值为40至50°C/W。这款MOSFET符合RoHS标准，适用于需要高效能和小型封装的应用场景。" IPD220N06L3G-VB是VBsemi公司的一款高性能N沟道MOSFET，采用先进的TrenchFET工艺，这种技术使得MOSFET拥有更低的漏源导通电阻，从而提高了开关效率。器件的最大门极-源极电压VGS为±20V，确保了在宽电压范围内稳定工作。连续漏电流ID在结温为175°C时仍可达到60A，表明其有较强的驱动能力。同时，脉冲漏电流IDM高达100A，这使其能够在短时间高负荷下运行。 MOSFET的特性还包括其持续源电流IS为23A，这意味着当用作反向二极管时，它能安全处理这个级别的电流。其雪崩能量EAS为20mJ，表明在适当条件下，IPD220N06L3G-VB可以承受一定量的雪崩击穿，增强了其在恶劣环境下的耐用性。 在散热方面，IPD220N06L3G-VB的热特性表现出色，最大结壳热阻RthJC为4°C/W，意味着当器件内部温度上升1°C时，外壳温度会上升4°C，这对于热量散发非常重要。而结温至环境的热阻RthJA则在不同条件下有所不同，瞬态情况下为18°C/W，稳态时为40至50°C/W，这些数值对于评估器件在实际应用中的冷却能力至关重要。 由于其紧凑的TO-252封装和出色的热性能，IPD220N06L3G-VB适合用于需要高效能、小体积和良好散热性能的电源管理、开关电源、电机驱动和其他电子设备中。此外，它的RoHS合规性确保了它符合当前环保要求，有利于环保设计。 IPD220N06L3G-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，集成了低rDS(on)、高电流能力和良好的热管理，广泛应用于各种电力电子应用中。如需更多详细信息，可以访问VBsemi的官方网站或拨打服务热线400-655-8788获取IPD220N06L3G-VB的数据手册。