CEM4946-VB：2N60V 6A双N沟道SOP8封装MOSFET特性与应用

CEM4946-VB是一款由VBsemi生产的高性能双N沟道60V高压CMOS场效应晶体管（MOSFET），它采用SOP8封装形式，专为高效率、紧凑设计和可靠性的电子应用而设计。这款器件具有以下关键特性： 1. **技术优势**： - TrenchFET®技术：利用深沟槽工艺制造，提供了低阻抗（RDS(ON)）和更好的散热性能。 - 高可靠性：100%栅极和输入导通电流（Rg和UI）测试，确保了元件在严苛条件下的稳定工作。 2. **电气参数**： - VDS (最大漏源电压): 60V，确保了器件在高电压环境中的安全操作。 - RDS(ON)值：在VGS = 10V时为27mΩ，而在VGS = 4.5V时为32mΩ，显示了不同工作电压下的优良开关特性。 - ID (每腿集电极电流): 每个通道的连续电流可达7A，适合于大电流负载驱动。 3. **封装和布局**： - 封装形式：SO-8双列直插式封装，占用空间小，适合板级集成。 - 功能配置：两个独立的N沟道MOSFET，每个MOSFET包含源极（S）、栅极（G）和漏极（D）引脚。 4. **极限条件**： - 最大连续工作条件：在25°C时，允许的持续集电极电流为7A，而在125°C下为4A。 - 瞬态过载能力：单脉冲雪崩电流（如在0.1mH电感下）为18A，单脉冲雪崩能量为16.2mJ。 - 温度范围：工作结温（TJ）和存储温度（Tstg）分别为-55°C至+175°C。 5. **热性能**： - 热阻值：在PCB安装条件下，结温与环境之间的热阻RthJA为110°C/W，有助于设备在高温环境中保持良好的散热性能。 6. **注意事项**： - 包装限制：可能受封装尺寸和电路板布局的影响。 - 脉冲测试条件：限制脉宽在300μs以内，占空比不超过2%。 - 安装要求：需确保在1平方英寸FR4材料的PCB上正确安装。 CEM4946-VB是一款适用于电源管理、电机控制、开关电源等应用的理想选择，尤其在对功率密度、效率和散热有较高要求的场合。在设计电路时，需要充分考虑其工作条件、热管理和过载保护措施，以充分发挥其性能潜力。