CEM4946-VB:2N60V 6A双N沟道SOP8封装MOSFET特性与应用
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更新于2024-08-03
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CEM4946-VB是一款由VBsemi生产的高性能双N沟道60V高压CMOS场效应晶体管(MOSFET),它采用SOP8封装形式,专为高效率、紧凑设计和可靠性的电子应用而设计。这款器件具有以下关键特性:
1. **技术优势**:
- TrenchFET®技术:利用深沟槽工艺制造,提供了低阻抗(RDS(ON))和更好的散热性能。
- 高可靠性:100%栅极和输入导通电流(Rg和UI)测试,确保了元件在严苛条件下的稳定工作。
2. **电气参数**:
- VDS (最大漏源电压): 60V,确保了器件在高电压环境中的安全操作。
- RDS(ON)值:在VGS = 10V时为27mΩ,而在VGS = 4.5V时为32mΩ,显示了不同工作电压下的优良开关特性。
- ID (每腿集电极电流): 每个通道的连续电流可达7A,适合于大电流负载驱动。
3. **封装和布局**:
- 封装形式:SO-8双列直插式封装,占用空间小,适合板级集成。
- 功能配置:两个独立的N沟道MOSFET,每个MOSFET包含源极(S)、栅极(G)和漏极(D)引脚。
4. **极限条件**:
- 最大连续工作条件:在25°C时,允许的持续集电极电流为7A,而在125°C下为4A。
- 瞬态过载能力:单脉冲雪崩电流(如在0.1mH电感下)为18A,单脉冲雪崩能量为16.2mJ。
- 温度范围:工作结温(TJ)和存储温度(Tstg)分别为-55°C至+175°C。
5. **热性能**:
- 热阻值:在PCB安装条件下,结温与环境之间的热阻RthJA为110°C/W,有助于设备在高温环境中保持良好的散热性能。
6. **注意事项**:
- 包装限制:可能受封装尺寸和电路板布局的影响。
- 脉冲测试条件:限制脉宽在300μs以内,占空比不超过2%。
- 安装要求:需确保在1平方英寸FR4材料的PCB上正确安装。
CEM4946-VB是一款适用于电源管理、电机控制、开关电源等应用的理想选择,尤其在对功率密度、效率和散热有较高要求的场合。在设计电路时,需要充分考虑其工作条件、热管理和过载保护措施,以充分发挥其性能潜力。
2023-11-21 上传
2024-01-03 上传
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2023-05-16 上传
2023-07-04 上传
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