CEM4936-VB: 30V双N沟道SOP8封装MOSFET特性与应用

CEM4936-VB是一种高性能的双N沟道SOP8封装MOSFET，它采用Trench FET®技术，旨在提供高效能和低功耗解决方案。该器件具有以下关键特性： 1. **环保设计**：符合IEC 61249-2-21标准的无卤素要求，体现了对环境保护的重视。 2. **可靠性测试**：100%进行UIST（单元集成测试）和Rg测试，确保了产品的质量一致性。 3. **法规遵从性**：符合RoHS指令2002/95/EC，确保在电子产品的制造过程中遵循严格的环保规定。 4. **电气参数**： - **额定电压**：VDS为30V，允许在10s脉冲下承受高达30V的 Drain-Source电压。 - **导通电阻**：RDS(on)典型值为0.022Ω和0.026Ω，分别在VGS=10V和4.5V时测量。 - **电流能力**：连续 Drain Current（ID）在不同温度下有不同限制，如在TJ=150°C时，25°C时可达6.2A。 - **二极管电流**：Continuous Source-Drain Diode Current（IS）在25°C下约为1.48A。 - **单脉冲雪崩电流**：在0.1mH电感下，Single Pulse Avalanche Current（IAS）为5A，能量吸收为1.25mJ。 5. **热管理**：最大功率损耗（PD）在25°C下为2.7W，而在70°C下降低到1.77W，保证了在高温条件下的散热性能。 6. **封装**：采用紧凑的SOP8封装，适合于小型化和空间受限的应用，例如Set Top Box和低电流DC/DC转换器。 7. **应用领域**：CEM4936-VB适用于对功率效率、散热能力和小型化有较高要求的电子设备，如消费电子产品中的电源管理和信号处理部分。 这款MOSFET由于其独特的设计、严格的测试和广泛的适用性，是现代电子设计中理想的开关元件，对于需要高效率和可靠性的工程师来说，是一个值得考虑的选择。在实际应用时，应仔细评估其在特定电路中的温度限制和脉冲操作条件，以确保其安全运行。