CEM9936A-VB双N沟道30V MOSFET技术规格

"CEM9936A-VB是一种双N沟道MOSFET，采用SOP8封装，适用于低电流DC/DC转换器和机顶盒等应用。这款MOSFET具备无卤素特性，符合IEC61249-2-21标准，并且通过了UIS和Rg测试，符合RoHS指令2002/95/EC。" CEM9936A-VB是一款由两个独立的N沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）组成的器件，每个MOSFET都具有源极（S）、漏极（D）和栅极（G）。这种双通道设计允许同时处理两个独立的电流路径，提高了电路设计的灵活性。这款MOSFET采用TrenchFET技术，这是一种先进的制造工艺，通过在硅片上蚀刻出深沟槽，可以显著减小导通电阻，从而提高效率并降低功耗。 在电气特性方面，CEM9936A-VB的最大drain-source电压（VDS）为30伏，这意味着它能够在不超过30伏的电压下安全工作。在10伏的栅极-源极电压（VGS）下，其导通电阻（RDS(on)）仅为0.022欧姆，而在4.5伏的VGS下，RDS(on)为0.026欧姆，这表明了其低阻抗特性，适合用于需要高效能开关操作的场合。此外，该器件的栅极电荷（Qg）分别为15nC和15nC，对于快速开关操作是理想的，因为它决定了开关速度。 这款MOSFET适用于连续和脉冲电流工作。在25°C的环境温度下，最大连续漏极电流（ID）为6.2安培，而在70°C时，这个值降至5.2安培。在短脉冲条件下，最大脉冲漏极电流（IDM）可达到30安培。同时，它内置了源极-漏极二极管，最大连续源极-漏极二极管电流（IS）为2.25安培，而脉冲雪崩电流（IAS）为5安培，单脉冲雪崩能量（EAS）限制为1.25毫焦。 绝对最大额定值是在25°C的环境温度下设定的，如drain-source电压（VDS）为30伏，gate-source电压（VGS）为±20伏。然而，随着温度升高，器件的最大功率损耗（PD）会减少，例如，在70°C时，PD的最大值为1.77瓦，而在25°C时为2.7瓦。 CEM9936A-VB是一款高性能、低功耗的双N沟道MOSFET，适用于需要高效、可靠电源管理的电子产品，特别是那些对体积、效率和热管理有高要求的设备，如低电流DC/DC转换器和机顶盒。其无卤素和RoHS合规性使其在环保方面也符合现代电子产品的标准。