SOT23封装P-Channel MOSFET - AP2313GN-HF-VB特性与规格

"AP2313GN-HF-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的P-Channel场效应MOS管。该MOSFET具有低电阻、高电流和特定的电压参数。其主要特点包括：RDS(ON)在VGS=4.5V时为57毫欧，VGS=12V时的阈值电压为-0.81V，最大连续漏极电流ID在25°C时为-4A，而最大脉冲漏极电流DM可达-10A。此外，它还有出色的热性能和耐压能力。" AP2313GN-HF-VB是一款P-Channel金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用小型化的SOT23封装，适合于空间有限或对热管理有要求的应用。这种MOSFET设计用于低压、大电流环境，其额定的漏源电压VDS为-20V，这意味着它可以承受最高20伏的反向电压。同时，该器件能通过的最大连续漏极电流ID在环境温度为25°C时为-4A，这表示它可以处理较大的电流负载。 关键性能参数之一是RDS(ON)，这是当MOSFET导通时，源极到漏极之间的电阻。在VGS=4.5V时，RDS(ON)为57毫欧，表明其在低电压下仍具有良好的导通效率，能减少功耗。而阈值电压Vth为-0.81V，意味着要使MOSFET开启，栅极与源极间需要施加大约-0.81V的电压。 Qg是栅极电荷，表示在开关过程中，需要通过栅极的电荷量，对于AP2313GN-HF-VB，其典型值为10nC，这影响了开关速度和功耗。此外，该器件还具备一个内置的源漏二极管，允许在某些应用中用作反向电压保护。 在热特性方面，MOSFET的最大结壳热阻RthJA在5秒内为75至100°C/W，这表示每增加1W的功率损耗，结温将升高75至100°C。此外，最大结脚热阻RthJF在稳态条件下为40至50°C/W，确保了良好的散热性能。 该产品还强调了无卤素设计，符合环保要求，适用于对环保标准有严格要求的领域。总体来说，AP2313GN-HF-VB是适用于低电压、大电流驱动和需要紧凑封装的电子设备的理想选择。