SOT23封装P-Channel MOSFET - AP2313GN-HF-VB特性与规格
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更新于2024-08-03
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"AP2313GN-HF-VB是一款由VBsemi生产的SOT23封装的P-Channel场效应MOS管。该MOSFET具有低电阻、高电流和特定的电压参数。其主要特点包括:RDS(ON)在VGS=4.5V时为57毫欧,VGS=12V时的阈值电压为-0.81V,最大连续漏极电流ID在25°C时为-4A,而最大脉冲漏极电流DM可达-10A。此外,它还有出色的热性能和耐压能力。"
AP2313GN-HF-VB是一款P-Channel金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用小型化的SOT23封装,适合于空间有限或对热管理有要求的应用。这种MOSFET设计用于低压、大电流环境,其额定的漏源电压VDS为-20V,这意味着它可以承受最高20伏的反向电压。同时,该器件能通过的最大连续漏极电流ID在环境温度为25°C时为-4A,这表示它可以处理较大的电流负载。
关键性能参数之一是RDS(ON),这是当MOSFET导通时,源极到漏极之间的电阻。在VGS=4.5V时,RDS(ON)为57毫欧,表明其在低电压下仍具有良好的导通效率,能减少功耗。而阈值电压Vth为-0.81V,意味着要使MOSFET开启,栅极与源极间需要施加大约-0.81V的电压。
Qg是栅极电荷,表示在开关过程中,需要通过栅极的电荷量,对于AP2313GN-HF-VB,其典型值为10nC,这影响了开关速度和功耗。此外,该器件还具备一个内置的源漏二极管,允许在某些应用中用作反向电压保护。
在热特性方面,MOSFET的最大结壳热阻RthJA在5秒内为75至100°C/W,这表示每增加1W的功率损耗,结温将升高75至100°C。此外,最大结脚热阻RthJF在稳态条件下为40至50°C/W,确保了良好的散热性能。
该产品还强调了无卤素设计,符合环保要求,适用于对环保标准有严格要求的领域。总体来说,AP2313GN-HF-VB是适用于低电压、大电流驱动和需要紧凑封装的电子设备的理想选择。
2024-04-08 上传
2024-04-09 上传
2024-09-11 上传
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