"ELM33408CA-VB是一款由VBsemi生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管。这款器件适用于20V的工作电压,能够承载最大6A的连续漏极电流ID,并且在特定条件下具有低至24mΩ的导通电阻RDS(ON)。它采用TrenchFET技术,100%通过Rg测试,符合RoHS指令。这款MOSFET适用于DC/DC转换器和便携式应用中的负载开关。"
ELM33408CA-VB MOSFET的特点包括:
1. **无卤素设计**:根据IEC61249-2-21标准定义,该产品不含卤素,符合环保要求。
2. **TrenchFET技术**:采用沟槽型MOSFET结构,这种技术能提高器件的开关速度,降低导通电阻,减小封装尺寸。
3. **100%Rg测试**:确保了产品的可靠性和一致性,Rg是指栅极到源极的寄生电感,影响开关性能。
4. **RoHS合规性**:符合欧盟的RoHS指令2002/95/EC,限制了电子设备中某些有害物质的使用。
该MOSFET的应用主要集中在以下几个方面:
1. **DC/DC转换器**:在电源管理中,MOSFET用于控制电流并实现电压转换。
2. **便携式应用的负载开关**:在手机、平板电脑等设备中,MOSFET用作电源管理元件,控制负载的通断。
产品摘要提供了一些关键电气参数:
- **RDS(ON)**:在VGS=4.5V时,导通电阻为28mΩ;在VGS=8V时,导通电阻为42mΩ。更低的RDS(ON)意味着在导通状态下的功率损失更少。
- **ID**:在25°C下,连续漏极电流ID的最大值为6A,但随着温度升高,额定电流会有所降低。
- **Qg(栅极电荷)**:表示开启或关闭MOSFET所需的总电荷量,对于快速开关至关重要。数值分别为8.8nC(VGS=2.5V)和5.6nC(VGS=1.8V)。
- **绝对最大额定值**:VDS的最大工作电压为20V,VGS的最大瞬时电压为±12V,连续漏极电流ID在不同温度下有不同的限制。
- **热特性**:最大结温TJ为150°C,最大功率耗散PD在不同温度下也有所不同。
这些参数对于理解ELM33408CA-VB的工作特性和选择合适的使用环境至关重要。设计者需要考虑应用的电压、电流需求,以及散热条件,以确保MOSFET在实际电路中能安全、高效地工作。