C8051F410/1/2/3微控制器的存储器组织与特性
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更新于2024-08-10
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"《高等学校教材:复变函数与常用变换》黄大奎,陶德元 著,2013年出版,其中涉及到C8051F410/1/2/3系列混合信号ISP FLASH微控制器的数据手册,详细介绍了存储器组织结构,特别是程序存储器的特性。C8051F410/1具有32KB的ISP FLASH,C8051F412/3则有16KB的FLASH,并提供了模拟外设、在片调试功能和高速8051微控制器内核等信息。"
在C8051F410/1/2/3系列微控制器中,存储器组织是其关键部分。程序存储器被设计为64KB的空间,但实际可用的容量因型号不同而有所差异。C8051F410/1在该空间中实现了32KB的内在系统编程(ISP)FLASH存储器,这些存储器以连续的存储块形式分布在0x0000至0x7DFF的地址范围内,而0x7E00以上的地址是保留的,未用于用户程序。相比之下,C8051F412/3的FLASH存储器容量较小,为16KB,其地址范围是0x0000到0x3FFF。
程序存储器虽然通常被认为是只读的,但C8051F41x系列芯片支持在系统编程,这意味着可以在不从系统中移除的情况下对这部分存储器进行写操作。这种特性对于软件更新和调试非常方便。
此外,C8051F410/1/2/3微控制器还包含了丰富的模拟外设。比如,它配备了一个12位的模数转换器(ADC),具有±1LSB的精度,无失码,转换速率可编程,最高可达200ksps,可连接24个外部输入。还有一个数据窗口中断发生器和内置温度传感器。另外,它有两个12位的电流输出数模转换器(DAC)和两个比较器,这些比较器可配置为唤醒或复位源,并有可编程的回差电压和响应时间。
在供电方面,微控制器的工作电压范围是2.0V到5.25V,内置一个LDO稳压器,可提供2.1V或2.5V的稳定电压。高速8051微控制器内核是其核心,采用流水线指令结构,70%的指令能在一到两个系统时钟周期内执行,最高可达到50MIPS的速度(当时钟频率为50MHz时)。扩展的中断系统增强了其处理实时事件的能力。
在内存配置上,C8051F410/1/2/3提供了2304字节的内部数据RAM,包括256字节的高速RAM和2048字节的扩展RAM。此外,还有32/16KB的FLASH存储器,以及64字节的电池后备RAM(smaRTClock),用于在断电时保持数据。
在数字外设方面,该微控制器拥有24个端口I/O,能够支持推挽或漏极开路配置,能够承受高达5.25V的电压,这使得它在接口设计上具有很高的灵活性。
最后,值得注意的是,C8051F410/1/2/3微控制器内置了在片调试电路,提供全速、非侵入式的调试功能,无需额外的仿真器。开发者可以进行断点设置、单步执行、存储器和寄存器的观察与修改,大大简化了开发和调试过程。新华龙电子有限公司提供了全面的开发工具套件,以支持这些高级功能。
2021-11-08 上传
2013-03-27 上传
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