模拟电路课件：三极管结构与放大原理

本资源是关于模拟电子技术的课件，重点关注稳定工作点的分压式偏置电路在放大电路中的应用。内容涵盖了半导体三极管的结构、放大原理、不同连接方式，以及放大电路的静态和动态分析。 在模拟电路中，稳定工作点对于放大电路的性能至关重要。分压式偏置电路被广泛用于设定晶体管放大器的静态工作点，以确保在各种温度条件下，放大器能保持稳定的工作状态。在标题提及的"四、稳定工作点的分压式偏置电路"部分，讨论了温度对静态工作点的影响。在固定偏置电路中，静态工作点（即三极管的基极电流IB、集电极电流IC）由UBE（基-发射极电压）、β（电流增益）和ICEO（穿透电流）共同决定，这些参数会随着温度的变化而变化。因此，设计分压式偏置电路时需要考虑到温度系数，以抵消这些参数的温度效应，保证IC的稳定性。 在描述中提到了“放大电路动态分析”，这是在静态分析基础上进一步研究电路在交流信号作用下的行为。对于共射放大电路，静态分析主要确定基极偏置电阻RB、电源电压UCC、负载电阻RC等参数，以设定合适的静态工作点。动态分析则关注输入信号如何通过放大器改变输出信号，包括电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等重要参数。 在《模拟电路》的课程中，第2章深入探讨了半导体三极管，包括NPN和PNP两种类型，它们由两个PN结构成，分为发射区、基区和集电区。三极管的放大作用基于其内部载流子的运动，即发射区发射载流子，基区控制和传输载流子，集电区收集载流子。电流放大倍数β（或hFE）定义为集电极电流IC相对于基极电流IB的变化率，即β=△IC/△IB。三极管的输入特性曲线描述了基-发射极电压uBE与基极电流iB的关系，展示了不同反向偏置电压uCE下的工作状态。 此外，课程还涉及了共发射极、共集电极和共基极这三种不同的三极管连接方式，每种方式都有其独特的应用场合和性能特点。例如，共发射极电路常用于电压放大，因为它具有较高的电压增益；共集电极电路（也称为射极跟随器）则以其高输入阻抗和低输出阻抗闻名，适合用作缓冲器；而共基极电路则在某些特定应用中提供高速响应。 通过学习这部分内容，学生将能够理解和分析三极管在放大电路中的作用，掌握如何通过分压式偏置电路稳定工作点，以及如何根据电路需求选择合适的三极管连接方式。这些基础知识是深入研究模拟电子系统、设计放大电路和理解半导体器件工作原理的基础。