短波长光存储材料：Ag-In-Te-Sb-O薄膜的光学与记录特性研究

"Ag-In-Te-Sb-O薄膜的光学特性及短波长静态记录特性的研究" 本文主要探讨了一种新型的Ag-In-Te-Sb-O薄膜材料，该材料通过射频反应溅射技术在不同氧气分压下制备而成。这种薄膜在光存储领域具有潜在的应用价值，特别是作为短波长高密度光存储材料。 首先，研究发现，在特定的氧分压比PO2/PAr=2%～4%下，薄膜的反射率较高。在氩气环境下，经过300℃退火30分钟后，薄膜在500～700nm波长范围内的反射率显著增加，增长率可达17%～25%。这表明薄膜的光学性质可以通过退火处理进一步优化，提高其在可见光范围内的反射效果。 在光学常数方面，分压比PO2/PAr=2%的薄膜在400～650nm波长区间显示出较强的吸收能力。同时，薄膜的光学常数(n, k)在退火前后存在显著差异，这可能是由于退火过程中薄膜内部结构的变化，导致其光学性质的调整。 对于静态记录性能的测试，薄膜在10mW的记录功率和100ns脉宽条件下，表现出良好的写入灵敏性。记录前后反射率对比度高达20%，意味着该薄膜可以有效地实现数据的写入和读取。经过多次写入/擦除循环，薄膜的反射率对比度保持稳定，显示出其具有一定的可擦除性能，这对于光存储系统来说是至关重要的。 X射线衍射(XRD)分析显示，退火后的薄膜仅包含Sb的晶相，与未退火的Ag-In-Te-Sb薄膜的结晶特性显著不同。这一变化可能与薄膜的晶格结构重排有关，有助于改善其光学和记录性能。 通过光电子能谱(XPS)分析，研究者深入探究了薄膜的成分以及各元素的化学状态，这对于理解薄膜的性质和功能至关重要。这些综合研究结果表明，Ag-In-Te-Sb-O薄膜具备优良的光学特性和良好的动态记录性能，是开发短波长高密度光存储设备的理想候选材料。 关键词：Ag-In-Te-Sb-O薄膜、反应溅射、光学特性、短波长光存储、X射线衍射、光电子能谱、高密度光存储