英飞凌IAUC40N08S5L140 OptiMOS™-5 功率MOSFET技术规格

"IAUC40N08S5L140是英飞凌科技（INFINEON）推出的一款OptiMOS™-5系列的N沟道增强型逻辑电平功率MOSFET，适用于汽车应用。该芯片具有良好的耐热性能，符合RoHS标准，且经过100%雪崩测试，确保了其在高压条件下的稳定性。" 该芯片的主要特点包括： 1. **OptiMOS™技术**：OptiMOS™系列是英飞凌的高性能功率MOSFET产品线，以其低电阻、高效率和出色的热性能而闻名。 2. **汽车应用设计**：专为汽车电子系统设计，满足汽车环境的严格要求，能够承受高温和恶劣的工作条件。 3. **N沟道增强型逻辑电平**：这意味着栅极阈值电压较低，适合逻辑控制，能与常见的逻辑电路兼容。 4. **MSL1等级**：表示潮湿敏感度级别1，可在高达260°C的峰值回流温度下安全操作。 5. **175°C工作温度**：芯片可以在最高175°C的环境中稳定工作。 6. **绿色产品**：符合RoHS（无铅）规定，环保友好。 7. **100%雪崩测试**：确保器件在过载情况下具有良好的抗冲击能力。 关键参数如下： - **最大漏源电流ID**：在25°C和10V栅极电压下，连续漏源电流为40A，在100°C时为28A。 - **脉冲漏源电流ID,pulse**：在25°C时，脉冲漏源电流可达160A。 - **单脉冲雪崩能量EAS**：当ID=18A时，单脉冲雪崩能量为32mJ。 - **单脉冲雪崩电流IAS**：最大值为18A。 - **栅源电压VGS**：允许的最大电压为±20V。 - **总功耗Ptot**：在25°C时，最大总功耗为56W。 - **结壳热阻RthJC**：平均值为2.7 K/W，表示结到外壳的热阻。 - **结空载热阻RthJA**：范围在28.5至未指定的K/W之间，表示结到环境的热阻。 封装信息为PG-TDSON-8-33，产品标记为5N08L140。这款MOSFET适用于需要高效能、低损耗和高可靠性的汽车电子系统，如电源管理、电机控制、电池管理系统等领域。