IRF540S-VB：100V N沟道TrenchFET MOSFET技术规格

"IRF540S-VB是一款N沟道的MOSFET，采用TO263封装，适用于100V的工作电压，具备低热阻特性，最高结温可达175°C。这款器件是TrenchFET功率MOSFET，拥有低导通电阻（rDS(on)在VGS=10V时为0.030Ω，VGS=4.5V时为0.040Ω），并提供了关于最大额定值、脉冲电流、雪崩能量等关键参数。此外，它还提供了关于热性能的数据，如结到外壳的热阻（RthJC）和结到环境的热阻（RthJA）。" IRF540S-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，由TrenchFET技术制造，这种技术使得器件在相同尺寸下拥有更低的导通电阻和更高的工作效率。TrenchFET设计通过在MOSFET的沟道区域使用深槽结构，优化了电流流动路径，降低了内阻，从而在高电流应用中实现更低的损耗。 该器件的最大额定Drain-Source电压VDS为100V，这意味着它可以承受的最大电压差为100V。同时，它的Gate-Source电压VGS的最大值为±20V，确保了正常操作下的稳定性。在25°C环境下，连续 Drain电流ID可达到45A，而在125°C时，这一值降为30A。然而，需要注意的是，连续工作的占空比必须限制在1%以内，以防止过热。 IRF540S-VB的脉冲 Drain电流IDM和雪崩电流IAR分别为35A和35A，这表明在特定条件下，器件可以承受短暂的大电流冲击而不会损坏。此外，重复雪崩能量EAR的最大值为61mJ，意味着在给定的电感条件下，器件能够承受一定次数的雪崩效应而不受损害。 最大功率耗散PD在25°C时为127W，但结温在25°C时的最大允许功率仅为3.75W。这是因为随着温度升高，器件的功率处理能力会下降。热性能方面，IRF540S-VB的结到外壳的热阻RthJC为1.4°C/W，而结到环境的热阻RthJA为40°C/W，这些数值对于散热管理至关重要。 这款MOSFET适用于需要高效能、高耐压和良好散热性能的应用，例如电源转换、电机控制、开关电源等。尽管其引脚含有铅，但根据RoHS指令，IRF540S-VB可能符合某些豁免条件。更多详细信息和规格可在VBsemi的官方网站上查询。