CJ3420-VB N-Channel MOSFET: 特性、应用与关键参数

"CJ3420-VB是一款由VB Semi生产的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管，适用于DC/DC转换器等应用。该器件具有低RDS(ON)、符合RoHS标准等特点，且通过了100%Rg测试。" CJ3420-VB是一款N-Channel沟道的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），采用小巧的SOT23封装，适用于空间有限且需要高效能的电路设计。这款MOSFET的最大Drain-Source电压（VDS）为30V，意味着它能够在不超过30V的电压下稳定工作。其在VGS=10V时的漏源导通电阻（RDS(ON)）仅为30毫欧，而在VGS=4.5V时，RDS(ON)为33毫欧，这表明它在较低的栅极电压下仍能保持良好的开关性能，有利于降低功耗。 该器件的连续漏极电流（ID）在不同温度条件下有所不同，例如在TJ=150°C时，ID的最大值为6.5A，而当温度升至70°C时，这一数值降至6.0A。此外，脉冲漏极电流（IDM）最大可达到25A，这使得CJ3420-VB适合处理短时高电流的脉冲工作场景。 CJ3420-VB还内置了一个连续源漏二极管，其在25°C时的最大源漏电流（IS）为1.4A，但表面安装在1"x1"FR4板上时，这一数值会下降到0.9A。最大功率损耗（PD）在25°C和70°C时分别为1.7W和1.1W，但考虑到热管理，建议实际使用时不要超过这些限制。 此外，CJ3420-VB符合RoHS指令2002/95/EC，不含卤素，满足环保要求，并通过了100%栅极电阻测试，确保了器件的可靠性和一致性。操作结温及存储温度范围为-55°C到150°C，焊接推荐的峰值温度为260°C。 在热性能方面，虽然没有给出完整的热阻抗数据，但提及了在特定条件下的最大结温上升速率，例如在t=5秒内最大结温上升不应超过130°C/W。这些信息对于评估MOSFET在实际应用中的散热能力至关重要。 CJ3420-VB是一款高性能、小型化且环保的N-Channel MOSFET，适用于需要高效能开关和低静态功耗的电源转换应用，如DC/DC转换器。其出色的电气特性和紧凑的封装尺寸使其成为许多电子设计的理想选择。