德州仪器(TI) TPS51200-EP DDR内存稳压器技术规格

"TI-TPS51200-EP.pdf是德州仪器(Texas Instruments)生产的一款名为TPS51200-EP的集成电路，主要用于DDR内存的灌电流和拉电流终端稳压。该器件设计适用于2.5V和3.3V电源轨，并具备多种保护和控制功能，如压降补偿、PGOOD输出、EN输入以及远程感测等。" 《TPS51200-EP灌/拉DDR终端稳压器详解》 TPS51200-EP是一款高效能的终端稳压器，专为 DDR（Double Data Rate）内存系统设计，确保了内存的稳定工作电压。其主要特点包括： 1. **输入电压范围**：支持2.5V和3.3V的电源轨，适应性强，能满足不同系统的供电需求。 2. **VLDOIN电压范围**：1.1V至3.5V，涵盖了DDR内存常见的工作电压区间。 3. **压降补偿功能**：在灌电流和拉电流操作时，可以自动调整以补偿电压损失，确保输出电压的稳定性。 4. **最小输出电容要求**：仅需20μF的电容（通常是3个10μF的多层陶瓷电容串联），降低了对外部元件的要求，尤其适用于DDR内存终端应用。 5. **PGOOD输出**：提供一个状态指示，用于监控输出电压是否达到稳定工作条件。 6. **EN输入**：使能输入允许用户控制稳压器的开启和关闭。 7. **REFIN输入**：通过直接连接或电阻分压器实现输入电压跟踪，提供了灵活的设计选项。 8. **远程感测(VOSNS)**：能够监测输出端的实际电压，提高系统精度。 9. **±10mA缓冲基准(REFOUT)**：提供稳定的基准电压，用于系统中的其他电路。 10. **内置保护功能**：集成软启动、欠压锁定(UVLO)和过流限制(OCL)，以及热关断机制，确保了设备的安全运行。 11. **符合JEDEC标准**：遵循DDR、DDR2的相关规格，并兼容DDR3、低功耗DDR3和DDR4的VTT应用。 12. **封装形式**：采用10引脚超薄小外形尺寸无引线(VSON)封装，节省空间且利于散热。 13. **军用级品质**：适用于国防、航天和医疗等高可靠性领域，具备受控基线、单一组装和测试场所、单一制造场所、军用温度范围支持(-55°C至125°C)、延长的产品生命周期、产品变更通知和可追溯性。 这款器件的应用范围广泛，涵盖了各种需要高精度和稳定性的内存系统，特别是那些对电源管理有严格要求的场合，如服务器、工作站、高性能计算平台等。同时，由于其军用级的品质和特性，也适用于航空航天和医疗设备等对可靠性有极高要求的环境。