DMP3010LK3-VB: 30V P沟道TO252封装MOSFET特性与规格

DMP3010LK3-VB是一款P沟道高压MOSFET，采用TO252封装，专为工业级应用设计。这款MOS管的主要特性包括： 1. **合规性**：符合RoHS 2002/95/EC指令，强调环保标准，但在Pb（铅）含量较高的终端处可能不完全符合RoHS要求，具体情况可能有豁免。 2. **电气规格**： - **门极-源极电压** (VGS): ±20V，允许在宽广的电压范围内工作。 - **连续漏极电流** (ID) (在TJ=175°C时): 在25°C条件下为-70A，125°C下为-58A，注意峰值限制。 - **脉冲漏极电流** (IDM): -240A，适用于周期性操作，1%的负载周期限制。 - **雪崩电流** (IAR): -60A，表示在突发情况下设备的过载能力。 - **重复性雪崩能量** (EAR): 180mJ，在特定电感(0.1mH)下衡量。 3. **功率参数**： - **功率损耗** (PD): 限制在一定的水平，确保在操作温度范围内安全。 - **温度范围** (TJ,Tstg): -55°C至+175°C，覆盖了从工作到存储的广泛条件。 4. **热阻抗**： - **结-环境热阻** (RthJA): 温度每瓦特的热传递系数，有助于了解散热性能。 - **结-壳热阻** (RthJC): 与封装结构相关，影响散热效率。 5. **典型性能**： - 当VGS = -10V时，漏极电阻(RDS(on))为0.009Ω；当VGS = -4.5V时，RDS(on)为0.011Ω。 - 在室温(25°C)和大气压条件下的直流漏极电流数据。 6. **安装选项**： - PCB安装时的热性能优于自由空气冷却，提供了不同环境下的性能指标。 7. **支持服务**：产品附带服务热线400-655-8788，方便用户咨询和获取DMP3010LK3-VB的数据手册（Datasheet）。 DMP3010LK3-VB是针对特定应用需求的高性能P沟道MOSFET，具有优良的电气特性和散热管理能力，适合在需要高电压、大电流控制的电路中使用。在设计和选用时，需关注其极限条件和兼容性，确保在实际应用中保持最佳性能和可靠性。