SPD07N20G-VB: 200V耐压N沟道TO252封装MOSFET

本文档介绍的是SPD07N20G-VB型号的N沟道TO252封装MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该MOSFET采用TrenchFET®技术，专为功率应用设计，具有以下关键特性： 1. **技术特点**： - TrenchFET结构：利用深度刻槽技术，提供更高的开关效率和更低的漏电流。 - **额定参数**： - 阀值电压（VDS）：200V，确保在正常工作条件下能承受高达200伏的源极和漏极电压。 - 维持电流（I_D）：在VGS = 10V时，持续导通电流可达0.01A。 - 最大脉冲电流（I_DM）：适用于短时间脉冲操作，允许的最大峰值电流为12A。 - 漏极单脉冲雪崩能量（E_AS）：在0.1mH电感下，单次脉冲下允许的能量吸收为18毫焦耳。 - **环境适应性**： - 工作温度范围宽广，从-55°C到175°C，满足各种极端条件下的应用。 - 具有良好的热性能，如junction-to-ambient热阻典型值为15°C/W，junction-to-case热阻为0.85°C/W。 2. **应用领域**： - 该MOSFET适用于初级侧开关，其小型的TO252封装适合表面安装在1" x 1" FR4板上。 3. **安全与合规性**： - 产品符合RoHS指令2002/95/EC，确保了对有害物质的限制管理。 4. **限制条件**： - 在25°C环境下，最大功耗为96W，在长时间下，瞬态最大功耗可能更高。同时，短路保护测试已达到100%合格标准。 SPD07N20G-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，适合于对电流密度、热稳定性和低漏电流有较高要求的开关电路设计，尤其适用于那些需要高可靠性和符合环保标准的应用场景。在实际使用时，需参照产品数据表中的安全工作区曲线（SOA），以确保器件在不同工作电压和电流下的稳定运行。