Cypress CY62256NLL-70PXC: 256Kbit CMOS Static RAM with Low Power...
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更新于2024-07-10
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本文档是关于Cypress Semiconductor Corporation公司生产的CYPRESS-CY62256NLL-70PXC，一款256-Kbit（32K×8）静态随机存取存储器（SRAM）。这款产品具有以下关键特性：
1. **温度范围**：
- 商业级：工作温度在0°C至+70°C。
- 工业级：工作温度范围扩展至–40°C至+85°C。
- 汽车应用等级A：–40°C至+85°C，适用于汽车电子应用。
- 汽车应用等级E：更严格的温度耐受，–40°C至+125°C，确保在严苛环境中稳定运行。
2. **高速性能**：CY62256N具有55ns的快速读写速度，满足高性能系统的需求。
3. **电压兼容性**：工作电压范围宽广，支持4.5V到5.5V，适应不同的电源环境。
4. **低功耗设计**：
- 高速模式下最大功率消耗为275mW。
- 低功耗版本（LL版本）提供了更低的待机功耗，最大仅为82.5μW，显著节省能源。
5. **内存扩展性**：设备内置活跃低的芯片使能（CE）和输出使能（OE），以及三态驱动器，方便用户进行内存扩展。
6. **接口兼容性**：采用TTL兼容输入输出，便于与其他电路无缝连接。
7. **自动电源管理**：当未被选中时，自动进入低功耗模式，降低能耗达99.9%。
8. **封装选项**：提供多种封装形式，包括28-pin PDIP（600-mil）、28-pin窄型SOIC、28-pin TSOPI和反向TSOPI，以适应不同尺寸和板级设计需求。
9. **环保考虑**：提供无铅（Pb-free）和非无铅版本，满足日益严格的环保法规。
CYPRESS-CY62256NLL-70PXC是一款高性能且低功耗的静态RAM，适合广泛应用在商业、工业、汽车电子以及对功耗和温度稳定性有较高要求的场景中，同时考虑到了现代电子产品对封装灵活性和环保的要求。在设计和选择存储器解决方案时，这款产品无疑是值得考虑的一个选项。
CY62256N
Document Number: 001-06511 Rev. *J Page 4 of 17
Maximum Ratings
Exceeding maximum ratings may impair the useful life of the
device. These user guidelines are not tested.
Storage temperature ................................ –65 C to +150 C
Ambient temperature with
power applied .......................................... –55 C to +125 C
Supply voltage to ground potential
(pin 28 to pin 14)
[2]
.....................................–0.5 V to +7.0 V
DC voltage applied to outputs
in high Z State
[2]
................................ –0.5 V to V
CC
+ 0.5 V
DC input voltage
[2]
.............................–0.5 V to V
CC
+ 0.5 V
Output current into outputs (LOW) ............................. 20 mA
Static discharge voltage
(per MIL-STD-883, method 3015) ......................... > 2001 V
Latch-up current ................................................... > 200 mA
Operating Range
Range Ambient Temperature (T
A
)
[3]
V
CC
Commercial 0 C to +70 C5 V 10%
Industrial –40 C to +85 C 5 V 10%
Automotive-A –40 C to +85 C 5 V 10%
Automotive-E –40 C to +125 C 5 V 10%
Electrical Characteristics
Over the Operating Range
Parameter Description Test Conditions
-55 -70
Unit
Min Typ
[4]
Max Min Typ
[4]
Max
V
OH
Output HIGH
voltage
V
CC
= Min, I
OH
= 1.0 mA 2.4 – – 2.4 – – V
V
OL
Output LOW
voltage
V
CC
= Min, I
OL
= 2.1 mA – – 0.4 – – 0.4 V
V
IH
Input HIGH
voltage
2.2 – V
CC
+ 0.5 2.2 – V
CC
+ 0.5 V
V
IL
Input LOW
voltage
–0.5 – 0.8 –0.5 – 0.8 V
I
IX
Input leakage
current
GND V
I
V
CC
–0.5 – +0.5 –0.5 – +0.5 A
I
OZ
Output leakage
current
GND V
O
V
CC
, output disabled –0.5 – +0.5 –0.5 – +0.5 A
I
CC
V
CC
operating
supply current
V
CC
= Max,
I
OUT
= 0 mA,
f = f
MAX
= 1/t
RC
LL - Commercial – – – – 25 50 mA
LL - Industrial – 25 50 – 25 50 mA
LL - Automotive-A – 25 50 – 25 50 mA
LL - Automotive-E – 25 50 – – – mA
I
SB1
Automatic CE
power-down
current – TTL
inputs
Max. V
CC
, CE V
IH
,
V
IN
V
IH
or V
IN
V
IL
,
f = f
MAX
LL - Commercial – – – – 0.3 0.5 mA
LL - Industrial – 0.3 0.5 – 0.3 0.5 mA
LL - Automotive-A – 0.3 0.5 – 0.3 0.5 mA
LL - Automotive-E – 0.3 0.5 – – – mA
I
SB2
Automatic CE
power-down
current – CMOS
inputs
Max. V
CC
,
CE
V
CC
0.3 V,
V
IN
V
CC
0.3 V, or
V
IN
0.3 V, f = 0
LL - Commercial – – – – 0.1 5 A
LL - Industrial – 0.1 10 – 0.1 10 A
LL - Automotive-A – 0.1 10 – 0.1 10 A
LL - Automotive-E – 0.1 15 – – – A
Notes
2. V
IL
(min)
= 2.0 V for pulse durations of less than 20 ns.
3. T
A
is the “Instant-On” case temperature.
4. Typical specifications are the mean values measured over a large sample size across normal production process variations and are taken at nominal conditions
(T
A
=25 °C, V
CC
). Parameters are guaranteed by design and characterization, and not 100% tested.
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