SAMSUNG K9F2808U0C NAND Flash Memory Data Sheet

"K9F2808U0C是三星电子生产的16Mx8位NAND闪存内存，该文档为datasheet，详细介绍了该芯片的技术规格和更新历史。K9F2808系列适用于各种存储需求，包括Pb-free环保封装选项。在不同的修订版本中，芯片的物理尺寸、引脚配置、电气特性以及针对1.8V设备的数据保护指导有所变化。" K9F2808是一款由三星公司制造的NAND闪存芯片，主要用于数据存储。其规格为16兆字节（16M）乘以8位（8Bit），表明该设备可以存储大量二进制数据，并且每个存储单元可以存储8位数据。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即使在断电后也能保持数据。 在文档的修订历史中，我们可以看到芯片经历了多次更新，从最初的初始发行（Revision 0.0）到后来的Revision 2.6。这些更新涉及了多个方面，如封装尺寸的变化（例如，48-Ball TBGA封装从6.0mm x 8.5mm变为63-Ball BGA封装，尺寸为9.0mm x 11.0mm），引脚分配的调整（A3引脚从NC（无连接）改为Vss，即接地），以及针对1.8V工作电压设备的改进。例如，增加了Rpvstr、tf和Rpvsibusy图，以更好地支持1.8V操作，并提供了关于1.8V设备在电压低于约1.1V时的数据保护Vcc指导。 此外，K9F2808系列在不同型号（如K9F2808U0C-FCB0, FIB0，K9F2816U0C-HCB0, HIB0等）中，对电源电压（Vcc）的要求也有所变化，例如，K9F28XXQ0C系列的Vcc范围从1.65V~1.95V调整为1.70V~1.95V。同时，Pb-free（无铅）封装的引入符合了环保标准，满足了现代电子产品的绿色制造要求。 在电气性能参数方面，部分交流参数（AC parameters）进行了修改，这可能涉及到读写速度、时序要求等关键性能指标。这些变化可能会影响到芯片在系统中的实际应用和兼容性，因此在设计电路时必须根据最新的datasheet进行调整。 K9F2808系列NAND闪存芯片是一个不断演进的产品，通过持续的技术改进以适应市场需求和技术发展。对于使用或设计包含这类芯片的系统，及时获取并理解最新的datasheet至关重要，以确保系统设计的正确性和可靠性。