英飞凌IPB055N08NF2S强效MOSFET：性能参数与规格概述

IPB055N08NF2S是一款由英飞凌(INFINEON)生产的强IRFET 2 功率晶体管，专为广泛的的应用场景优化设计。这款N沟道器件采用正常级驱动，具有出色的性能参数。以下是关于该芯片的关键特性及规格： 1. **技术特性：** - **类型与代码：** N-Channel MOSFET，型号为IPB055N08NF2S，其订单代码为055N08NS。 - **功率参数：** 允许的最大集电极电压（VDS）为80V，最大集电极导通电阻（RDS(on)）在最大条件下为5.5mΩ，这表明它在高电压和低阻抗状态下提供高效能。 - **电流能力：** 集电极电流（ID）高达94A，这使得该元件适用于需要大电流处理的场合。 - **开关特性：** Qoss（导通时的饱和漏极漏极电荷）和Qg（关断时的存储电荷）分别为44nC和36nC，这些参数影响了器件的开关速度和损耗。 2. **认证与合规性：** - 该产品通过了JEDEC标准的验证，确保其在工业应用中的可靠性和一致性。 - IPB055N08NF2S采用无铅工艺制造，符合RoHS（Restriction of Hazardous Substances）环保法规，同时根据IEC 61249-2-21标准是无卤素的，降低了对环境的影响。 3. **规格表：** - 表1列出了关键性能参数，如最大工作条件下的电压、电流和电荷存储值。 4. **其他信息：** - 器件封装为D²PAK，便于散热和小型化设计，带有Tab引脚以便于电路布局。 - 标志采用PG-TO263-3封装标记，便于识别和安装。 - 附录部分包括描述、最大工作参数、热性能、电气特性图表、封装图示、修订历史、商标声明以及免责声明等详细资料。 5. **安全与使用：** - 在章节3的“Maximum ratings”中，提供了在25°C环境温度下（TA = 25°C）的芯片操作限制，用户在设计电路时应参考这一部分来确保安全操作和设备的使用寿命。 IPB055N08NF2S是英飞凌推出的一款高性能N沟道MOSFET，适用于各种高电压、大电流应用，具有严格的测试和环保认证，适合工程师在设计和选择功率开关元器件时参考。