ANPEC APM7317KCTU:双N沟道MOSFET技术规格
"APM7317KCTU是一款由ANPEC Electronics Corp.生产的双N沟道增强型MOSFET,适用于电源管理、笔记本电脑、便携式设备和电池供电系统的应用。该器件拥有超低的RDS(ON)值,提供了高效能和可靠性。" APM7317KCTU是ANPEC公司的一款双通道N沟道增强模式MOSFET,设计用于需要高密度和低导通电阻的应用。这款MOSFET的特点包括超低的RDS(ON),在VGS = 10V时典型值仅为21mΩ,而在VGS = 4.5V时为27mΩ。这样的低RDS(ON)使得APM7317KCTU在处理电流时具有更高的效率,特别是在高电流低电压的系统中。 封装信息显示,APM7317KCTU采用K代码的SO-8封装,操作结温范围为-55到150°C。此外,它还提供Tube(管装)和Tape & Reel(带状卷盘)两种包装方式,分别以代码TU和TR表示。产品的标记信息可能包含日期代码,以确保客户可以获取最新的产品版本。 在功能方面,APM7317KCTU的设计特点是超级高密度单元布局,这有助于实现极低的RDS(ON),同时保证了器件的可靠性和坚固性。这款MOSFET适用于需要高效电源管理的领域,如笔记本电脑、便携式设备以及电池供电的系统。 在电气参数方面,APM7317KCTU的参数包括Drain-Source电压(VDSS)最大为30V,以及Gate-Source电压(VGSS)的规格。这些参数定义了MOSFET在安全工作范围内的电压能力。 引脚配置为标准的SO-8封装,包括两个独立的N沟道MOSFET,每个有源器件都有一个源极(S1和S2)、一个栅极(G1和G2)以及两个漏极(D1和D2)。这种布局允许同时控制两个MOSFET,便于在电路设计中实现并行开关或隔离开关功能。 APM7317KCTU是一款高性能的双N沟道MOSFET,其低RDS(ON)特性使其成为需要高效电源转换和管理的电子设备的理想选择。在设计电路时,工程师可以充分利用其优势,优化系统的功率效率和热性能。
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