IS42S32160C-75BLI:512Mb同步DRAM规格详情
"IS42S32160C-75BLI 是 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款同步动态随机存取内存(SDRAM),主要用于高速、高性能的存储需求。这款芯片的主要特性包括:时钟频率高达166.133MHz,完全同步操作,内置流水线架构,以及可编程模式,如CAS#延迟可设为2或3,突发长度支持1、2、4、8及全页,突发类型可选择交错或线性。供电电压为Vdd/Vddq +3.3V±0.3V,采用LVTTL接口。具备自动刷新和自刷新功能,且每个字节可通过DQM0-3独立控制。此外,芯片有C版本,配置为16Mx32,封装形式为90球栅格阵列(BGA,尺寸8x13mm),并提供无铅封装选项,工作温度范围覆盖商业级和工业级应用。IS42S32160C是一款512Mb的同步DRAM,设计用于满足高性能系统中的数据存储需求。" 此款IS42S32160C-75BLI SDRAM芯片是集成电路领域中的一个重要组件,其高速度和高灵活性使其在计算机、服务器、网络设备等需要快速存取大量数据的系统中发挥着关键作用。时钟频率决定了内存处理指令的速度,166.133MHz的频率意味着它能以较高的速率执行读写操作。内部的流水线架构允许连续的数据传输,提高了系统的吞吐量。可编程的模式设置则使得该芯片可以根据不同的应用场景进行优化,例如通过调整CAS#延迟和突发长度来平衡响应速度和带宽效率。 LVTTL(低电压差分逻辑)接口是数字电路设计中常用的接口标准,它降低了功耗,同时提供了可靠的信号传输。自动刷新和自刷新功能是SDRAM的重要特性,确保了内存单元的稳定性,防止数据丢失。DQM(数据区抹除)引脚的使用允许对单个字节进行控制,增加了设计的灵活性。 封装选项中的90球BGA设计使得芯片能够适应紧凑型电子设备的安装空间,而无铅封装符合当前环保要求,满足RoHS标准。工作温度范围覆盖商业级和工业级,意味着IS42S32160C可以在各种环境条件下稳定工作,从常规办公室环境到极端的工业环境。 IS42S32160C-75BLI是一款高性能、高度可配置的SDRAM,适用于需要高效能内存解决方案的现代电子系统。其丰富的特性集和广泛的温度适应性使其成为各种应用的理想选择。
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