IS42S32160C-75BLI：512Mb同步DRAM规格详情

"IS42S32160C-75BLI 是 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款同步动态随机存取内存（SDRAM），主要用于高速、高性能的存储需求。这款芯片的主要特性包括：时钟频率高达166.133MHz，完全同步操作，内置流水线架构，以及可编程模式，如CAS#延迟可设为2或3，突发长度支持1、2、4、8及全页，突发类型可选择交错或线性。供电电压为Vdd/Vddq +3.3V±0.3V，采用LVTTL接口。具备自动刷新和自刷新功能，且每个字节可通过DQM0-3独立控制。此外，芯片有C版本，配置为16Mx32，封装形式为90球栅格阵列（BGA，尺寸8x13mm），并提供无铅封装选项，工作温度范围覆盖商业级和工业级应用。IS42S32160C是一款512Mb的同步DRAM，设计用于满足高性能系统中的数据存储需求。" 此款IS42S32160C-75BLI SDRAM芯片是集成电路领域中的一个重要组件，其高速度和高灵活性使其在计算机、服务器、网络设备等需要快速存取大量数据的系统中发挥着关键作用。时钟频率决定了内存处理指令的速度，166.133MHz的频率意味着它能以较高的速率执行读写操作。内部的流水线架构允许连续的数据传输，提高了系统的吞吐量。可编程的模式设置则使得该芯片可以根据不同的应用场景进行优化，例如通过调整CAS#延迟和突发长度来平衡响应速度和带宽效率。 LVTTL（低电压差分逻辑）接口是数字电路设计中常用的接口标准，它降低了功耗，同时提供了可靠的信号传输。自动刷新和自刷新功能是SDRAM的重要特性，确保了内存单元的稳定性，防止数据丢失。DQM（数据区抹除）引脚的使用允许对单个字节进行控制，增加了设计的灵活性。 封装选项中的90球BGA设计使得芯片能够适应紧凑型电子设备的安装空间，而无铅封装符合当前环保要求，满足RoHS标准。工作温度范围覆盖商业级和工业级，意味着IS42S32160C可以在各种环境条件下稳定工作，从常规办公室环境到极端的工业环境。 IS42S32160C-75BLI是一款高性能、高度可配置的SDRAM，适用于需要高效能内存解决方案的现代电子系统。其丰富的特性集和广泛的温度适应性使其成为各种应用的理想选择。