SK海力士UFS3.1 3D V7 128GB-1TB存储芯片规格说明书

"SK hynix UFS3.1 3D V7 Datasheet 128GB-1TB 原厂资料" 本资料详细介绍了SK海力士（SK hynix）推出的UFS3.1接口的3D NAND闪存产品系列，覆盖了128GB至1TB的不同容量。UFS3.1是一种高速、低功耗的通用闪存存储标准，适用于移动设备如智能手机和平板电脑等。文档的版本为Rev1.3，发布日期为2022年10月。 在1.3版中，SK hynix的UFS3.1产品家族采用了最新的3D NAND技术，这代表了存储密度和性能的显著提升。3D NAND技术通过堆叠多个存储层垂直于彼此，允许在更小的空间内实现更高的存储容量，同时优化了能源效率。 文档中提到的HN8Tx5DxHKX07x是特定型号的UFS设备，它符合UFS3.1协议，该协议在1.3版本下进行了优化，提供更快的数据传输速度和更低的延迟。UFS3.1相对于之前的版本增加了对HS-ECC（高速错误校正编码）的支持，增强了数据完整性保护，并引入了新特性如WriteBooster和FastBoot，进一步提升了写入速度和系统启动时间。 文档还强调了版权和专有信息，指出未经SK海力士书面许可，任何部分不得向第三方披露或复制。此外，文档内容可能会随着更新的版本而改变，建议用户定期关注SK海力士官方获取最新信息。 在修订历史中，可以看到文档经历了多个迭代，从0.1的初步版本到1.3版，其中包含了VDDIQ连接值的变更（1->2.2uF），以及仅支持大型振幅（LA）输出电平的修改，这些细节反映了产品的不断优化和改进。 这份SK hynix UFS3.1 3D V7 Datasheet提供了关于高性能移动存储解决方案的详细规格和技术信息，对于设计和开发使用UFS3.1存储的电子设备的工程师来说是非常有价值的参考资料。通过了解这些参数和特性，开发者可以更好地集成和利用这些存储器件，以实现更高效、更快速的设备性能。