ELM13422CA-S-VB:N-Channel 60V MOSFET技术规格与应用

0 下载量 20 浏览量 更新于2024-08-03 收藏 213KB PDF 举报
"ELM13422CA-S-VB是一款由VB Semiconductor制造的N-Channel沟道SOT23封装的MOSFET晶体管,适用于电池开关和DC/DC转换器等应用。该器件具有低电阻、高效能的特点,并通过了100%的Rg和UIS测试,确保其可靠性和安全性。" ELM13422CA-S-VB是一款N-Channel沟道的MOSFET,采用小巧的SOT23封装,适合在空间有限的电路设计中使用。这款MOSFET的主要特点是其低导通电阻RDS(ON),在VGS=10V时,RDS(ON)为85mΩ,这有助于减少功率损耗,提高电路效率。同时,它也支持较高的工作电压,VDS的最大值为60V,能够承受一定的电压波动。 该MOSFET具有良好的温度特性,其连续漏源电流ID在不同温度下有所不同:在25°C时可达到4A,而在70°C时则降至3.1A。此外,器件还具备短脉冲下高达12A的峰值脉冲电流IDM能力,满足瞬时大电流需求。内置的源漏二极管在25°C时可以承载1.39A的连续电流,确保了二极管反向恢复时的稳定性能。 为了保证安全运行,ELM13422CA-S-VB经过了100%的Rg和UIS测试,Rg测试确保了栅极电阻的稳定性,而UIS测试则验证了器件在过电压条件下的耐受性。这款MOSFET还符合IEC61249-2-21标准,是无卤素的环保型半导体产品。 在热管理方面,最大结温TJ允许范围为-55°C至150°C,最大功率耗散在不同温度下也有差异,例如在25°C时为1.66W,在70°C时为1.06W。需要注意的是,这些数值是在特定条件(如1"x1"FR4板上贴片)下的测量结果。 在应用方面,ELM13422CA-S-VB特别适合用作电池开关,控制电源的通断,同时也适合作为DC/DC转换器中的开关元件,帮助高效地调节电压。由于其优秀的电气特性和紧凑的封装,这款MOSFET在便携式电子设备、电源管理以及各种低功耗应用中具有广泛的应用潜力。