AOD4184-VB MOSFET: 40V N-Channel TrenchFET特性与应用解析
193 浏览量
更新于2024-08-03
收藏 479KB PDF 举报
本文档主要介绍了AOD4184-VB型号的N沟道40V电压、85A电流的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该产品采用先进的TrenchFET技术,具有出色的性能和可靠性。
首先,产品特性方面:
1. **耐压**:N沟道,最大允许的Drain-Source Voltage (VDS) 达到40V,确保了在高电压条件下稳定工作。
2. **开关特性**:在VGS(Gate-Source Voltage)为10V时,RDS(ON)(漏极导通电阻)低至4mΩ,表现出良好的开关效率。而在4.5V的VGS下,RDS(ON)增加到5mΩ,但仍然保持在较低水平。
3. **阈值电压**:Vth为1.85V,这是开启导电通道所需的最小电压。
4. **安全等级**:100%的Rg和UISTest保证了电路的稳健性。
5. **电流能力**:持续工作电流(ID)在室温下可达85A,随着温度升高有所调整,如在70°C时为70A。
接着,产品应用场景广泛,包括:
- **同步整流**:AOD4184-MOSFET适用于需要高效能量转换的同步整流电路,例如在开关电源中。
- **电源供应**:其高电流处理能力使其适合作为电源管理中的关键组件。
产品总结部分详细列出了不同工作条件下的电流限制,比如最大脉冲电流IDM为250A,单次脉冲雪崩电流IAS为80A,单脉冲雪崩能量EAS为320mJ。此外,还提供了连续源-漏极二极管电流(IS)和最大功率损耗(PD)的数据。
在热管理方面,该器件的额定工作和储存温度范围为-55°C到150°C,具有合理的热阻抗,确保在不同温度条件下能有效散热。
需要注意的是,所有数据是在特定条件下给出的,例如ID在25°C时的最大值,而实际使用时要考虑封装限制电流(110A),并且在不同温度下可能有所不同。当超过绝对最大限制时,可能会导致设备损坏。
AOD4184-VB MOSFET是一款适合高电压、大电流应用的理想选择,其优良的性能和广泛的适应性使得它在工业级电源管理、高频开关电源和其他电子设备中发挥着重要作用。设计者在使用时应根据具体的应用需求,结合温度、功耗和电流限制等参数进行合理的设计和选择。
2023-11-10 上传
2023-10-28 上传
2023-10-20 上传
2023-10-26 上传
2023-10-20 上传
2023-10-18 上传
2023-11-16 上传
2023-11-09 上传
2023-10-08 上传
微碧VBsemi
- 粉丝: 7521
- 资源: 2496
最新资源
- 探索数据转换实验平台在设备装置中的应用
- 使用git-log-to-tikz.py将Git日志转换为TIKZ图形
- 小栗子源码2.9.3版本发布
- 使用Tinder-Hack-Client实现Tinder API交互
- Android Studio新模板:个性化Material Design导航抽屉
- React API分页模块:数据获取与页面管理
- C语言实现顺序表的动态分配方法
- 光催化分解水产氢固溶体催化剂制备技术揭秘
- VS2013环境下tinyxml库的32位与64位编译指南
- 网易云歌词情感分析系统实现与架构
- React应用展示GitHub用户详细信息及项目分析
- LayUI2.1.6帮助文档API功能详解
- 全栈开发实现的chatgpt应用可打包小程序/H5/App
- C++实现顺序表的动态内存分配技术
- Java制作水果格斗游戏:策略与随机性的结合
- 基于若依框架的后台管理系统开发实例解析