AOD4184-VB MOSFET: 40V N-Channel TrenchFET特性与应用解析

2 下载量 193 浏览量 更新于2024-08-03 收藏 479KB PDF 举报
本文档主要介绍了AOD4184-VB型号的N沟道40V电压、85A电流的高性能MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该产品采用先进的TrenchFET技术,具有出色的性能和可靠性。 首先,产品特性方面: 1. **耐压**:N沟道,最大允许的Drain-Source Voltage (VDS) 达到40V,确保了在高电压条件下稳定工作。 2. **开关特性**:在VGS(Gate-Source Voltage)为10V时,RDS(ON)(漏极导通电阻)低至4mΩ,表现出良好的开关效率。而在4.5V的VGS下,RDS(ON)增加到5mΩ,但仍然保持在较低水平。 3. **阈值电压**:Vth为1.85V,这是开启导电通道所需的最小电压。 4. **安全等级**:100%的Rg和UISTest保证了电路的稳健性。 5. **电流能力**:持续工作电流(ID)在室温下可达85A,随着温度升高有所调整,如在70°C时为70A。 接着,产品应用场景广泛,包括: - **同步整流**:AOD4184-MOSFET适用于需要高效能量转换的同步整流电路,例如在开关电源中。 - **电源供应**:其高电流处理能力使其适合作为电源管理中的关键组件。 产品总结部分详细列出了不同工作条件下的电流限制,比如最大脉冲电流IDM为250A,单次脉冲雪崩电流IAS为80A,单脉冲雪崩能量EAS为320mJ。此外,还提供了连续源-漏极二极管电流(IS)和最大功率损耗(PD)的数据。 在热管理方面,该器件的额定工作和储存温度范围为-55°C到150°C,具有合理的热阻抗,确保在不同温度条件下能有效散热。 需要注意的是,所有数据是在特定条件下给出的,例如ID在25°C时的最大值,而实际使用时要考虑封装限制电流(110A),并且在不同温度下可能有所不同。当超过绝对最大限制时,可能会导致设备损坏。 AOD4184-VB MOSFET是一款适合高电压、大电流应用的理想选择,其优良的性能和广泛的适应性使得它在工业级电源管理、高频开关电源和其他电子设备中发挥着重要作用。设计者在使用时应根据具体的应用需求,结合温度、功耗和电流限制等参数进行合理的设计和选择。