Samsung K5L5628JT(B)M: 256Mbit NOR Flash & 128Mbit UtRAM Multi-C...

"Samsung MCP K5L5628JT(B)M Data Sheet v1.0" 三星MCP K5L5628JT(B)M是一款多芯片封装内存，主要特性在于其集成了256M位（16M x16）同步突发多银行NOR闪存和128M位（8M x16）同步突发UtRAM。这款存储解决方案设计用于高性能和高效能的应用中，结合了非易失性和高速读取能力。 NOR闪存是一种非易失性存储技术，即使在断电后也能保持数据。同步突发模式意味着它能够在高速时钟周期内执行连续的读取操作，提高了数据访问速度。多银行结构允许并发操作，进一步提升了性能，使得不同任务可以同时在不同的存储银行中执行，从而减少了整体的等待时间。 UtRAM（可能是指UltraRAM或通用RAM）部分则提供高速随机存取存储，其128M位的容量（8M x16配置）表明它是专为快速数据处理设计的。同步突发UtRAM模式删除了异步写入模式，这意味着所有的写入操作都是在严格的时钟同步下进行，确保了写入操作的高速和一致。 文档修订历史显示，该数据表在2004年经历了从初步版本0.0到最终版本1.0的改进。初步版本包含了256M位NOR Flash A-die和128M位UtRAM M-die的信息，而在最终版本1.0中，可能对UtRAM的某些功能进行了优化，如删除了同步突发读取和异步写入模式，这可能是为了提高系统的稳定性和效率。 三星电子保留更改规格的权利，并鼓励用户如果有任何关于设备的问题或请求，联系最近的三星分支机构。更详细的功能和规格可以通过三星半导体网站获取。 Samsung MCP K5L5628JT(B)M是一款结合了高速NOR闪存和UtRAM的多芯片封装内存，适用于需要高速数据访问和非易失性存储的系统。它的同步突发模式和多银行架构提供了高性能的操作，而UtRAM的设计则优化了写入和读取的速度。