P沟道20V SOT23封装MOSFET FDN306P-NL-VB详细参数

"FDN306P-NL-VB是一种P沟道MOSFET，采用SOT23封装，适用于低电压、低电阻应用。这款MOSFET具有20V的额定 Drain-Source 电压（VDS），在特定的栅极源电压下，其漏源导通电阻（RDS(on)）分别为0.035欧姆（VGS = -10V）、0.043欧姆（VGS = -4.5V）和0.061欧姆（VGS = -2.5V）。此外，它拥有低栅极电荷（Qg），典型值为10nC，且封装限制的最大功率耗散在25°C时为2.5W，70°C时为1.6W。MOSFET适用于表面贴装在1"x1"FR4板上。其绝对最大额定值包括-20V的Drain-Source电压，±12V的栅极源电压，以及在不同温度下的连续漏电流（ID）。该器件还具备一个内置的连续源漏二极管，并且是无卤素设计，符合IEC61249-2-21标准的环保要求。" FDN306P-NL-VB是一款高性能的P沟道金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET），特别适合在需要小型化和高效能的电子设备中使用。其SOT23封装设计使得它能够在紧凑的空间内提供良好的电气性能，同时保持较低的热阻，从而减少在高负载条件下的温升。 这款MOSFET的关键参数之一是RDS(on)，这是衡量MOSFET导通状态下的电阻的指标。较低的RDS(on)意味着在导通状态下，器件的功率损耗更小，效率更高。例如，当VGS为-10V时，RDS(on)仅为0.035欧姆，这在低电压电源切换或驱动电路中非常有用。 另一个重要参数是栅极电荷（Qg），它表示将MOSFET从关闭状态切换到完全导通状态所需的电荷量。10nC的Qg表明FDN306P-NL-VB具有快速的开关速度，这对于需要快速响应时间的高速开关应用至关重要。 此外，该MOSFET还具有额定的连续漏电流（ID），在不同的结温（TJ）下有不同的值。例如，在25°C时，ID的最大值为-5eA（即5mA），而在70°C时，则降低到-4.8A。这些电流值是基于特定条件的，包括温度和栅极源电压，确保MOSFET在工作时不会过热。 MOSFET的功率耗散（PD）是另一个关键指标，它决定了器件在特定环境温度下可以安全处理的最大功率。2.5W的PD在25°C时允许器件在满负荷下运行，而随着温度升高，这个值会降低，以防止过热。 最后，该器件的无卤素特性使其符合现代电子产品对环保材料的需求，符合国际电工委员会（IEC）的标准，降低了对环境的影响。因此，FDN306P-NL-VB是设计者在寻求高效、小型、环保的P沟道MOSFET解决方案时的理想选择。