PIC微控制器的闪存编程步骤与注意事项

"这篇文档详细介绍了如何在PIC18F25K22、PIC18F45K22、PIC18LF25K22和PIC18LF45K22系列微控制器中对闪存程序存储器进行编程。这个过程涉及到一系列步骤，包括设置和操作特殊功能寄存器EECON1，以及使用表写指令TBLWT。" 在微控制器的闪存编程中，关键在于理解编程块的大小和操作限制。在这些特定的PIC微控制器中，编程块是64字节，并且不支持字或字节级别的编程。编程时，需要先将64字节的数据加载到内部的保持寄存器中，这通常通过TBLWT指令执行64次来完成，因为TABLAT寄存器只能一次处理一个字节。在数据写入所有保持寄存器后，通过配置EECON1寄存器启动编程操作，包括设置EEPGD和CFGS位来指定程序存储器，并启用WREN位以允许写操作。 编程流程涉及以下步骤： 1. 首先，将要写入的64字节数据读入RAM。 2. 更新RAM中的数据，如果需要的话。 3. 设置表指针寄存器(TBLPTR)指向待编程的地址。 4. 执行块擦除操作。 5. 将第一个要写入的字节地址再次装入TBLPTR。 6. 使用自动递增机制将64字节块写入保持寄存器。 7. 设置EECON1寄存器，准备执行写操作。 8. 关闭中断。 9. 分别写入55h和0AAh到EECON2。 10. 使能WR位，开始写周期。CPU在此期间会暂停工作，由内部编程定时器控制写操作，大约需要2毫秒。 11. 写操作完成后，重新开启中断。 12. 最后，通过表读操作校验存储器以确认写入是否成功。 值得注意的是，器件复位后，保持寄存器默认值为FFh，写入FFh不会改变其内容，这允许用户修改程序存储器的字节，除非是将位从0变为1。在这种情况下，无需在执行长写操作之前加载所有保持寄存器。 整个写操作块的过程大约需要6毫秒。示例代码（未在提供的文本中给出）可以帮助实现这个过程。重要的是在置位WR之前，确保表指针地址位于即将写入的保持寄存器地址范围内。 此文档还强调了使用Microchip微控制器时的一些法律条款和责任，包括对信息的准确性、知识产权的保护以及生命安全应用的风险提示。用户应始终参考Microchip的英文原版文档以获取最新和最完整的信息。