Agilent去嵌入技术：实现精准的射频测量

"Agilent去嵌入技术是用于消除测试夹具对测量结果影响的一种方法，主要通过使用Agilent ENA系列射频网络分析仪与Cascade Microtech探针系统进行在夹具内的特性化。该技术分为两种基本方法：一种是在测试夹具电极尖端进行校准，另一种是采用去嵌入技术，利用测试夹具的模型来数学上移除测量结果中的不期望的夹具效应。虽然第一种方法需要为每个测试夹具定制昂贵且不灵活的校准标准，但去嵌入技术则更具有优势，它可以从测试夹具模型的仿真结果中获取数据，通常使用如Agilent Advanced Design System (ADS)这样的仿真工具进行建模。然而，准确的测试夹具建模既困难又耗时，因此工程师们一直在寻找简单而精确的在夹具内特性化方法。本产品说明详细介绍了如何使用Agilent的去嵌入技术实现这一目标，提供了一种更有效的方法来改善射频测量的准确性。" 去嵌入技术详解： 去嵌入技术（De-embedding）是射频和微波测量领域中的一个重要概念，它的主要目的是消除测试设备（如测试夹具、连接器等）对被测器件（DUT）真实性能的影响。当DUT在实际环境中进行测量时，信号会经过一系列的传输路径，这些路径包括测试夹具，它们可能会引入额外的损耗、反射和相位变化，导致测量结果偏离DUT的真实特性。 Agilent公司的去嵌入技术提供了一种解决方案，它允许用户在不依赖昂贵的定制校准标准的情况下，通过建立测试夹具的精确数学模型来校正测量数据。这一过程首先需要对测试夹具进行建模，这通常涉及到使用电磁仿真软件，如Agilent ADS，来模拟夹具在不同频率下的电气行为。然后，使用这些仿真数据创建一个去嵌入模型，该模型可以计算出测试夹具对测量信号的贡献。 在实际操作中，Agilent ENA系列射频网络分析仪与Cascade Microtech探针系统的结合，使得在夹具内的特性化变得更加简便。这种组合可以提供高精度的S参数测量，S参数是描述网络传输和反射特性的关键指标。通过将测量到的S参数与去嵌入模型相结合，可以得到修正后的DUT性能数据，从而更准确地反映DUT的实际工作状态。 去嵌入技术的应用广泛，尤其是在射频集成电路（RFIC）、微波组件和高速数字接口的测试中。通过去除夹具效应，工程师可以更好地理解设计的性能，优化设计参数，减少原型制作和测试的次数，最终提高产品的质量和可靠性。 Agilent的去嵌入技术是一种高效且精确的工具，对于射频和微波领域的研发和生产环境，它能够显著提升测量的准确性和一致性，降低开发成本，并加速产品的上市进程。