纳米氢氧化镁掺杂聚酰亚胺薄膜的电性能研究

"PI/Mg(OH)2纳米复合薄膜的介电性能的研究" 这篇论文是2014年发表在《哈尔滨理工大学学报》上的，主要探讨了聚酰亚胺(PI)与纳米氢氧化镁(Mg(OH)2)复合薄膜的介电性能。通过原位聚合技术，科研人员成功制备了不同掺杂量的Mg(OH)2纳米复合薄膜，掺杂量分别设为0%，1%，2%，4%和8%质量分数。该研究旨在了解纳米氢氧化镁的掺入对聚酰亚胺薄膜电导电流、电老化阈值以及介电系数的影响。 实验结果显示，当Mg(OH)2的质量分数达到4%时，复合薄膜的电导电流达到最大值，这可能是因为纳米氢氧化镁的引入改变了薄膜的电荷传输特性，导致电导率的显著提升。随着Mg(OH)2掺杂量的进一步增加，电导电流并没有持续增加，反而出现了下降趋势，这可能与材料内部结构的变化和导电网络的稳定性有关。 同时，论文指出，随着Mg(OH)2掺杂量的增加，复合薄膜的电老化阈值和介电系数均呈现逐渐增大的趋势。电老化阈值的提高意味着材料抵抗电老化的能力增强，这在电子器件和电气绝缘材料中具有重要意义。介电系数的增大则意味着材料的储能能力增强，对于电容器等电介质材料的设计与优化具有积极影响。 这些发现为设计和优化聚酰亚胺基的复合材料提供了理论依据，尤其是在高介电常数和抗电老化性能方面。同时，对于开发新型电子设备和电力系统的绝缘材料，这种纳米复合薄膜可能是一种有潜力的候选材料。通过调整Mg(OH)2的掺杂比例，可以实现对介电性能的精确调控，满足不同应用场景的需求。 这篇论文深入研究了PI/Mg(OH)2纳米复合薄膜的电学性质，揭示了纳米氢氧化镁掺杂对材料性能的影响规律，为纳米复合材料在电子和电气工程领域的应用提供了新的思路。