基于CMOS技术的0.1-1.2GHz超宽带射频收发开关芯片设计
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更新于2024-09-02
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集成电路中的一种0.1-1.2GHz的CMOS射频收发开关芯片设计
本文设计了一种低插入损耗、高隔离度的全集成超宽带CMOS射频收发开关芯片,该电路采用深N阱体悬浮技术,在1.8V电压供电下,该射频开关收发两路在0.1-1.2GHz内的测试结果具有0.7dB的插入损耗、优于-20dB的回波损耗以及-37dB以下的隔离度。
知识点1:超宽带射频收发芯片的设计需求
* 超宽带射频收发芯片的频段为0.1-1.2GHz
* 设计需求:低插入损耗、高隔离度、低噪声、宽带宽
知识点2:CMOS工艺在超宽带射频收发芯片设计中的应用
* CMOS工艺是目前最常用的集成电路制造工艺
* CMOS工艺可以实现低成本、高集成度、低功耗的超宽带射频收发芯片
知识点3:深N阱体悬浮技术在射频收发开关芯片设计中的应用
* 深N阱体悬浮技术可以实现低插入损耗、高隔离度的射频收发开关芯片
* 该技术可以减少电路中的电容耦合和电感耦合,从而提高射频收发开关芯片的性能
知识点4:无线通信“行业专网”系统的发展趋势
* 无线通信“行业专网”系统正处于快速发展的黄金时期
* 该系统需要面向0.1-1.2GHz行业专网频段的无线宽带射频收发芯片
知识点5:射频无线收发芯片在不同领域的应用
* 射频无线收发芯片已经在手机、雷达、无线局域网(WLAN)及广播等多个窄带或宽带无线收发系统中得到了广泛应用
* 该芯片可以满足不同领域的需求,如宽带无线移动通信网、窄带无线通信系统等
知识点6:超宽带射频收发芯片的组成部分
* 射频收发开关(T/RSwitch)
* 低噪声放大器(LNA)
* 混频器(Mixer)
* 功率放大器(PA)
* 滤波器等
知识点7:中国在超宽带射频收发芯片领域的需求
* 中国迫切需要一套面向0.1-1.2GHz行业专网频段的无线宽带射频收发芯片
* 目前,中国在超宽带射频收发芯片领域还处于发展阶段,需要加强技术研发和产业化建设
2020-08-30 上传
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2021-07-26 上传
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