英飞凌CoolSiC™ 1200V碳化硅MOSFET规格书.pdf - 高效能、高频率、高功率密度的碳化硅MOSFET中文规格书

AIMW120R045M1是英飞凌公司推出的CoolSiC™ 1200V碳化硅槽沟金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）芯片。该芯片具有以下特点：先进的半导体材料-碳化硅、非常低的开关损耗、无阈值的导通特性、适用于IGBT的驱动电压（开启电压为15V）、0V的关断门电压、基准门阈电压（VGS(th)）=4.5V、完全可控的dv/dt、可进行共振整流的可靠换向体二极管、温度无关的关断开关损耗。 AIMW120R045M1芯片具有以下优势：提高效率、实现更高的频率、增加功率密度、降低散热成本、减少系统复杂度和成本。 该芯片可以应用于以下潜在领域：